电化学控制离子交换NiHCF薄膜的离子选择性的研究.pdfVIP

1011 电化学控制离子交换NiHCF 薄膜的离子选择性研究 郭金霞郝晓刚 (太原理工大学化工学院，太原，03“rz4) 摘要：采用电沉积方法在铂、铝基体上制备出具有电化学控制离子交换(ESlX)性能的 电活性Ni}I汀(Nickel 合溶液中分别测定了不同浓度下薄膜的伏安特性曲线和电化学交流阻抗谱，并根据CV曲线和 EIS曲线的变化特征分析了薄膜对Cs+／K+和cs+／Na+离子的选择性。结果表明．交流阻抗技术 与循环伏安法相结合可较好地用来表征混合溶液中离子膜的选择性。 关t词：电化学控制离子交换铁氰化镍薄膜 电化学阻抗图谱离子选择性 j 前言 Ion Switched Exchange，ESIX)是利用离子交换膜 电化学控制离子交换(Electrochemically 对目标离子特殊的选择性，通过调节具有电活性的离子交换膜的氧化还原电位来控制目标离 子的置人与释放，从而使溶液中的金属离子得到分离并使膜得到再生的一种新型膜分离方 法…1。由于ESIX过程的主要推动力是电极电位，离子交换基体无需化学再生，消除了由化 学再生剂产生的二次污染【2J，因而有可能取代传统的离子交换技术成为近期国际上的研究热 点∞，4j，国内研究尚属空白。 NiHCF由于其独特的化学计量关系和分子结构特征，以及对碱金属离子特殊的选择性 国家实验室【1,3j和华盛顿大学【2，6’7J分别采用阳极氧化和阴极沉积的电化学方法在Ni和Pt基 体上制备出NiHCF薄膜，并通过循环伏安法及EDS光谱对薄膜的电控离子交换性能(离子 交换容量、离子选择性、稳定性、再生等)进行了探讨。在电控离子交换过程中，薄膜的离 子选择性是使混合溶液中金属离子得以有效分离的关键，但离子选择性的产生机理还不太清 楚。本文采用循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对铂、铝基体上电沉积的NiHcF薄 膜进行了测定和解析，对不同基体上薄膜的离子选择性机制进行了初步的探讨。 2实验部分 2．1试剂与仪器 所用试剂均为分析纯或优级纯，水为纯水。所用仪器为通过EC—Lab软件控制的多通 资助项目。 作者筒弁：郝晓刚，通讯联系人，E一咖n：xghao@ryut．edu．cn。 郭金霞：女，24岁，太原理工大学化工学院在读硕士研究生．主要从事电化学反应工程方向的研究。 郝晓刚：男，博士，教授。 ·5l‘ 道Prinston VMP2电化学系统。三电极体系，铂丝为对电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电 极，导电基体(Pt、AI)为工作电极。 2．2薄膜制备与电化学实验 将经过预处理的基体材料(铂、铝)浸入新鲜配制的含0．002MNiS04和0．002MK，Fe HCF薄膜，循环扫描速度为25mV／s。 将制备好的NiHCF薄膜依次在不同混合溶液中测试其CV曲线及相应的电化学阻抗谱， 为lOmV，直流偏置电位则设置为与薄膜氧化还原过程相关的电位。并采用配套的ZsimpWin 438VP型扫描电镜进行表面形貌分析。 阻抗分析软件计算电化学参数值。采用美国LEO 3结呆与讨论 3．1电控离子交换机理 在ESIX过程中具有电活性的离子交换膜(如NiHCF膜)沉积在高比表面积的导电基 体上，通过电化学方法调节薄膜的氧化还原电位控制离子的置人与释放，其交换机理如图 1所示。当设置NiHCF薄膜电位为还原电位时，电活性中心Fe3+被还原为Fe2+，为平衡电 中性阳离子置人薄膜；反之如果设置薄膜电 位为氧化电位时，则电活性中心Fe2+被氧化