具有低功耗与多值存储性能的双层WOx%2fAlON阻变存储器的研究.pdfVIP

第52卷第3期 复旦学报(自然科学版) V01．52No．3 ofFudan Science) Jun．2013 2013年6月 Journal University(Natural 文章编号：0427—7104(2013)03—0309—05 具有低功耗和多值存储性能的双层WOx／AlON 阻变存储器的研究 田晓鹏，林殷茵 (复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海201203) 摘要：针对当前阻变存储器(ⅪnM)面临的功耗和高密度存储的问题，介绍了一种降低功耗和形成多值存储 能力的器件结构．相比单层结构的A10NRRAM，双层结构的W0x／A10NRRAM具有低至10址A的复位 (reset)电流，1 RRAM，提出了WOx介质层的等效电路模型为固定电阻与二极管串联模型．在直流置位(IX；set)过程中，电路 中存在一个较大的过冲电流，使得无法通过控制限流来获得不同大小的低阻态．在增加WOx介质层后，在WOx 层和A10N层问形成了界面肖特基势垒，因此有效地抵抗了过冲电流，提高了低阻态的可控性． 关键词：WOx；A10N；WOx／AlON；reset电流；多值存储 407 中图分类号：TN 文献标志码：A 随着存储器市场逐渐受消费电子驱动，对高密度低成本的存储需求不断增加．以闪存(Flash)为代表 的经典浮栅型非挥发存储器已经取得了巨大成功，但随着工艺尺寸的不断缩小，尤其是到16nm技术带 存储技术．其中，阻变存储器(RRAM)作为一种Flash的潜在替代者正受到广泛关注，其尺寸不仅能随特 征尺寸的缩小而缩小，而且易于制造． 目前发现很多材料都具有电阻转变特性，包括过渡族金属氧化物、钙钛矿结构的三元或四元含氧化 合物以及有机薄膜材料．在选择功能材料时，与标准CMOS逻辑工艺相兼容是一个重要的考虑因素，本文 所研究的器件不含0．18,am标准逻辑工艺以外的元素． 功耗性能方面，国际上各科研机构和企业采用了多种制备方法，包括掺杂、构建双层器件结构和采用 Lin等人[2]报道的 1T1R存储单元等．其中构建双层结构具有明显提高RRAM性能的作用，Meng-Han Lee等人[3]用ZrOx／Hf())(结构得到了相比单层HfOx较低的操作电压及复位电流． 目前关于双层结构的RRAM在改善性能方面的研究[2“]，主要是基于一些测试结果，如采用双层结 构可以使器件的复位电流减小，改善器件操作参数的一致性等．基于导电丝(filament)模型，推断性能的 改善是由于形成了局域性的导电通道，其中一层的导电丝有助于稳定和集中另外一层的导电丝．作者所 分析了其高阻态和低阻态，得出双层结构中各层起到了不同的作用：其中电阻转换仅发生在AlO)(层，而 层对改善AION层阻变性能的研究，并进一步完善了WOx介质层的功能模型． 1 实验 WOx／A10N RRAM器件的制备方法及步骤如下：在纯Oz气氛中，温度400℃，对W衬底进行等离 收稿日期：2012—1l一27 (12XDl400800)；国家自然科学基金资助项目(2011Zx02502) edu．erh 作者简介：田晓鹏(1987一)，男，硕士研究生；林殷茵，女，教授，通讯联系人，E-mail：yylin@fudan 31() 复旦学报(自然科学版) 第52卷 子体氧化，氧化时间为180S．氧化完成后，采用纯Al靶，反应溅射一层A1N，A1靶功率为100W，Ar：Nz 快速热退火炉中，通纯O。，温度300℃，氧化10分钟．最后在所形成的薄膜上，使用金属硬掩膜，采用直流 磁控溅射制备A1上电极，电极直径为200