RE(La、Dy)%2fSi多层膜的结构探究.pdfVIP

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2017-08-16 发布于安徽
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第18卷材料科学与工程增刊 Vo1．18 Materials ScienceEngineeringSep．2000 ===========：==========================I—— RE(La、Dy)／Si多层膜的结构研究程国安，游琼玉，徐飞，肖志松，叶敦茹 (南昌大学材料科学工程系) 的Dv。两类多层膜中均未有稀土硅化物形成：经过400℃热处理后，多层膜中的稀土原子和硅原子的整；Dy／Si多层膜中DySi：。硅化物相量逐渐增加，结晶逐渐完整。【关键词】多层膜蒸发沉积士口 2样品与观测方法随着半导体器件集成度的不断提高，在VLSI 2．1样品制备和ULSI的结构中，硅化物的应用越来越重要，研究所用的基体材料是直径为76．2mm的n 研制低电阻率、高稳定性和低肖特基势垒的金属硅化物是目前半导体材料领域的一个主要研究方 o·cm，厚度为375±15iam．稀土金属La和向。目前研究的金属硅化物主要为贵金属硅化 Dy纯度大于99．5％，硅的纯度大于99．9％。物、过渡金属硅化物和稀土金属硅化物。子束蒸发系统中完成。镀膜室的背底真空度1．3 镧系稀土元素具有相似的电子结构和物理化学性能，都能形成C32对称性的AB，结构的稀土硅化物RESi，。RESi：硅化物中亚点阵上存在 15％～20％的硅有序空位【ll，成为RESi2。相，层，稀土金属层和硅层交替沉积，各为25层。 RESi，。相结构稳定，硅化物电阻率低12】，光电转真空热处理在管式电炉中进行的。热处理温度分换效率高等特点，适合于制作响应速度快的超大规模集成电路的欧姆接触层、红外探测器材料和 30rain。高效率的蓝紫色发光材料。十几年来，国内外学者利用超高真空镀膜和离子束合成等技术对Y、 Ce、La、Er等稀土硅化物薄膜的形成、电学性前后多层膜样品的相结构进行了分析。掠角电子能和光学性能等进行了研究【粥l。衍射入射电子柬与样品平面的夹角约O．5。~3。。 ·615· 处理条件下多层膜的显微结构进行分析。 o 一 3结果与讨论剧憩l 莨 3．1X射线衍射仪分析娶图2真空热处理前后的Si(111)村底Dy／S 多层膜样品的XRD谱 a)未退火 b)550(2C)700C 峰对应的是金属Dy，镀层硅以非晶态形式存在，此时没有稀土硅化物相的衍射峰出现；经过400