半导体材料的研究的新进展.pdfVIP

第29卷增刊 稀有金属材料与工程 Vol 29．Supp】 2000年8月 RAREMFIALMATERlALSANDENGINEERlNG 2000 August 半导体材料研究的新进展 王占国 (中国科学院半导体研究所 北京100083) 摘要综述了当前国际上半导体材料研究的新进展．重点讨论了几种最重要的半导体材料．即硅材料、GaAs和[nP 单晶材料、半导体超晶格、量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体结掏材料、光学微腔和光子晶体、量子 比特构造和量子计算机用材料以及竞带隙半导体材料等。 关键词半导体材料《而；：i西pj．．，、 本世纪中期半导体单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革 命，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变了人们的生活方式。70年代初石英光 形成了高技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格量子阱材料的研制成功． 彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从过去的“杂质工程”发展到“能带工程”，出现 了以“电学特性和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到量子效应和低维结构特性的新一代半导体 器件和电路时代。半导体微电子和光电子材料己成为2l世纪信息社会高技术产业的基础材料。它的发展将 会使通信、 高速计算、大容量信息处理、空问防御、电子对抗以及武器装备的微型化，智能化等这些对于 国民经济和国家安全都至关重要的领域产生巨大的技术进步，受到了各国政府极大的重视。下面就几种主要 的半导体材料研究进展作一简单地介绍。 1硅材料 中18” 300mm，0．13pm工艺生产线也将在2003年完成评估。 0．18pm工艺的硅ULSI生产线将投入规模生产， 片预计2007年可投入生产，中27”单晶也正在积极筹划中。 从进一步提高硅IC’S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米工艺所需的太直径硅外延片会成为硅 材料发展的主流。目前，m8”硅外延片已研制成功，更大尺寸的外延片也将开发． 影响所带来的物理和技术限制问题，更重要的是将受硅、siOz自身性质的限制．尽管人们正在积极寻找高F Olla (system 子阱，一维量子线与零维量子点材料)以及可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料是最有希望的替补材料。 2GaAs和InP单晶材料 等特点．在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路．特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优 E_1mai 作者简介：王占国．男．中国科学院半导体研究所．北京100083．电话：010 18 稀有金属村料与工程 29卷 在筹建06～S1 的InP单晶的关键技术尚未突破，价格居高不下。 GaAs，InP单晶的发展趋势是：1)增大晶体直径，目前03”一4”的SI6aAs已用于大生产，预计21世 纪初的头几年06”的sI—OaAs也将投入工业应用；2)提高材料的电学和光学微区均匀性：3)降低单晶的 缺陷密度，特别是位错：4)GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快。 3半导体超晶格、量子阱材料 念改变着光电子和微电子器件的设计思想，即从过去的所谓“杂质工程”发展到“能带工程”，出现了“电 学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。 31 I|I—v族超晶格、量子阱材料 晶格匹配和应变补偿材料体系己发展得相当成熟，已成功地用来