同轴结构微波部件中微放电阈值的统计理论计算.pdfVIP

同轴结构微波部件中微放电阈值的统计理论计算 林舒李永东闫杨娇强文保荣刘纯亮 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室陕西西安710049 摘要：本文介绍了一种考虑同轴结构内电场非对称性以及二次电子能量分布的微放电统计理论。首先采 用微扰法得到电子不同的出射位置与碰撞类型的运动轨迹，再根据电子不同的运动轨迹，分别构建了电 子从内、外极板出射后完成单、双边碰撞的关于出射时刻与渡越时间的联合概率密度函数，然后通过电 子出射时刻的稳态假设，构建稳态积分方程。最后根据实验Ag样件的二次电子发射率曲线，计算该样 件的微放电敏感区域，并将实验频点下统计理论预测值，与实验测量的阈值进行比较。 关键词：微放电，同轴，统计理论，阈值，实验 1．前言 微放电是指微波器件内电子在射频场的作用下得到加速后反复与金属器壁碰撞，产生出新的二次电 子，导致电子数目呈指数性增长的放电现象。较早的微放电理论研究是由Gill和Von Engel等人提出的 微放电共振理论…，微放电阈值计算软件Multical就是以经典理论为基础的，但它忽略了电子出射速 度的随机性，所以预测的结果与实验相差较大。 机分布。2010年，Anza等人【3]将单边碰撞考虑到了这种模型中，使得这种模型对于微放电阈值的预测 更加的精确。同时，基于统计理论的研究也扩展到了介质窗放电中[4，5】。但是之前的研究一般都集中 在相对简单的平行平板结构中，对于相对复杂的微波结构【6]，研究的文献很少，尤其是同轴结构[7，8]， 而在实际微波器件中，能够准确地预测同轴结构的微放电阈值，对于微波部件抗微放电设计具有很重要 的实际意义。目前用于预测同轴结构微放电阈值的主要方法是通过数值模拟【9，10】来实现的，而理论研 究方法多是将其近似为平行平板结构，阈值预测值误差很大。而同轴结构内电子的运动轨迹是无法精确 求解的，构建统计模型难度很大。 本文首先在第二部分中以这种近似轨迹公式为基础，获得到电子从内径出射出射的轨迹公式，并根 据不同的碰撞类型，将同轴结构内的电子运动分成四类；在第三部分，由之前的轨迹公式，构建了相应 联合概率密度函数；再根据电子出射时刻分布的稳态假设，得到同轴结构内的稳态方程，并给出了实验 Ag样件的微放电敏感区域图；同时给出了统计理论、Multical软件与实验的在实验频点处的微放电阈 值预测值并比较。 2．动力学建模 图l同轴结构简化图 图1为圆柱坐标下的同轴结构示意图，其中a和b分别为同轴结构的内外筒半径，电磁场为TEM 模式，电场强度为E=毛(6／，．)sin(耐)，可E,…z，Io电子在同轴结构内的通用轨迹方程为[8]： sin(rot) ，．(f)=孑A + 其中人=eEbblm，参数C1与C2可表示为： C：=㈨2+丽A丽2 G=to～掣 (2) 电子不同的出射位置对应不同的参数，所以我们将由外径和内径出射的电子轨迹公式分别记为‘(f)与 ，；(f)，参数为： 尺(气)≈6一百Asm(o讲o) R(岛)≈口～百Asm(国to) ro(t)寸 ‘(t)专 (3) Acos(oxo) 詹(乇)≈一％一—A—c—o二s石(t—Ot—o) a(to)≈％一 其中t。与v。分别是电子的出射时刻与速度大小。 3．统计模型 3．1联合概率密度函数 由于电子不同的出射位置会导致不同的轨迹方程，我们将同轴结构内电子的运动轨迹分成四类：外 径出射的双边碰撞(O／D、外径出射的单边碰撞(o／o)、内径出射的双边碰撞(I／O)、内径出射的单边碰撞 (I／I)。而对于电子在经历了渡越时间t后完成碰撞的轨迹表达式为： 色肠：名(f)一b=o专，。：ri(t)-b=o