应变自组装InAs%2fGaAs量子点材料和器件光学性质研究.pdfVIP

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第 卷增刊 半 导 体 学 报 ! !’ #$% ()**%+,+-. 年 月 !//0 1 ’!//0 23456(6789:5;8=(64285?92@8:( AB CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC 应变自组装 Y 量子点材料与 UVWXZ[WX 器件光学性质研究D N N N N ! N 钱家骏 徐 波 陈涌海 叶小玲 韩 勤 王占国 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室 北京 EN ’ N///H0I 中国科学院半导体研究所 国家光电子工艺中心 北京 E! ’ N///H0I 摘要 采用 技术生长应变自组装 Y 量子点微结构材料 以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备 K R6 4-;\FA;\ ’ 出激光二极管 研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性 条宽为 腔长为 腔面未经镀膜的 N// J N^G ’ ], ,, 量子点激光二极管 室温下最大光功率输出为 ’ !^L _ 关键词 应变自组装量子点 电致发光谱 量子点结构 量子点激光器 生长 K ‘ ‘4-;\ ‘ ‘R6 K!11 ‘L0!/ ‘LH11 aWbb c ? 6 中图分类号K 00^! 文献标识码K 文章编号K/!10QNLLE!//0I /Q//1NQ/1 8 ; ( 到上世纪九十年代初 在其他方法均不能获得满意 ’ 引言 的量子点材料后 此项技术才又为人们所重视 并使 d ’ ’ 量子点材料的质量获得重大突破 真正实现了量子 ’ 早在上世纪八十年代初 日本东京大学的

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