显像管残余气体分析与离子轰击研究.pdfVIP

第25卷增刊 真空科学与技术学报 2005年12月 JOURNALOFVACUUMSCIENCE 115 AND．11础olDGY(cH矾A) 显像管残余气体分析及离子轰击研究 张晓兵1。 蒋峻2毛福明1雷威1 (1．东南大学电子工程系南京210096；2．华飞彩色显示系统有限公司电子枪厂南京210028) ResidualGasses andIonBombardmentofColor Ttube Analysis Study Picture Jun2，Mao LeiWeil Zhang)【iaobiIlgI+，JiaIlgFumin矿and f1．E／ec∞rac西秤，ⅫⅢwn弘帕，删，SoutheastUnaersuy，Na“／mg，210096，‰；＼ 、2．Electron‰乒咖yofHuaFezColorn叫町枷Lat，Nanymg，21(D28，CTana， AbstractIonbombardment0fresidual 81mu]allon m tochromatemfluenceof gases hlbe(cPr)Wtt8pe面med colo。picture getter ofl in theresidual a results the pumpingb吐ckg—pressureanalymg gas期t11 may electnm quadruple啪spectroscopy．Thehelp gunopa． mlgatl堪i． Keywords bombardment Residual弘s，Massspectnan，Ion 摘要显像管中的残余气体是影响显像管质量和寿命的重要因素，通过四极质谱残余气体分析系统，可以对显像管中的 残余气体进行有效的分析，对带消气剂的真空器件，本底要考虑扣除消气剂作用的影响。在此基础上可以进行残余气体离子 轰击的计算机模拟研究，并对显像管电子枪进行优化设计。 关键词残余气体质谱分析离子轰击 中图分类号：TNl413 文献标识码：A 文章编号：1672．7126(2006)增一115-03 显像管中的残余气体是影响显像管寿命和质量 的重要因素，特别在大尺寸显像管中，由于阴极发射 电流大，残余气体被电子轰击电离后产生的离子对 阴极的轰击严重影响显像管的寿命。在彩色显像管 的自会聚电子枪中，由于三电子束在屏中心会聚，两 边束(红束、蓝柬)电子轨迹有一个向中心的弯曲，如 图l(a)所示，这使得边束和中束(绿束)发射的电子 (a)电子枪中的电子离子轨迹 与残余气体分子碰撞形成的残余气体离子回轰阴极 的位置不同。对于中束阴极，离子轰击主要在阴极 发射最强的中心区域；对于边束阴极，离子轰击主要 在发射相对较弱的边缘区域，如图1(b)所示。这对 于采用大发射电流密度的浸渍阴极(I．阴极)的彩色 tb)--束阴极的电子发射和离子轰击区域 显像管，由于浸渍阴极抗离子轰击性能相对氧化物 阴极较弱，当残余气体水平较高时，这种离子轰击的 图l显像管中电子、离子轨迹和阴极 不平衡会造成发射跌落的不平衡，从而影响白场调