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荣延栋 等：热丝辅助ECR-CVD 制备a-Si:H 薄膜的红外和光致衰退研究 3181
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究*
∗
荣延栋，阴生毅，胡跃辉，吴越颖，朱秀红，周怀恩，
张文理，邓金祥，陈光华
（北京工业大学 新型功能材料教育部重点实验室，北京 100022 ）
摘 要：采用热丝辅助MWECR-CVD 系统制备出了
2 实 验
a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱，
用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A 采用热丝辅助MWECR-CVD系统沉积a-Si:H薄膜。
样品(加入热丝)和B样品(未加热丝) ，得出在热丝辅助 直径D ＝0.5mm 的钨丝绕成周长C＝350mm 的圆，沉积
MWECR-CVD 系统制备非晶硅薄膜过程中，热丝的光 过程中，该圆环绕等离子体，圆平面平行于衬底，距衬
照对薄膜的抗衰退起到了关键作用，用该系统制备非 底L=60mm，采用TDGC2-10 接触调压器为热丝加电压，
晶硅薄膜，大大降低了薄膜中的总氢含量，提高了薄 Rayr3ilmsc红外测温仪测量热丝温度。沉积系统背景真
膜的稳定性，同时，Si-H键合体的摇摆模发生了红移。 空度为2~2.4 ×10－3Pa ，薄膜沉积参数如表1。
关键词：非晶硅；红外；光致衰退 表 1 薄膜沉积参数
中图分类号：O484.5 文献标识码：A Table 1 The deposition parameter of the film
文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-3181-03 微波功 工作气 气体流 SiH4 :H2 磁场电流
率（W ） 压(Pa) 量(Sccm) (体积比) (A)
1 引 言 450 2 30 1:4 116.8
研究了在有热丝 （A 样品）和无热丝 （B 样品）
氢化非晶硅是一种新型的光电功能材料，广泛用 的情况下薄膜的红外谱差异和A 、B 样品的稳定性，
于器件制造，如太阳电池、光传感器、发光管、大面 讨论了热丝的影响。
积液晶平面显示等。a-Si:H薄膜的制备方法有VHF(甚
高频)法、RF （射频）CVD、MWECR-CVD （微波电 3 结果和讨论
子回旋共振化学气相沉积）、热丝化学汽相沉积(hot
3.1 对氢含量的影响
wire chemical vapor deposition，HWCVD)等，与传统
图1 示出A 、B两种样品的红外透射谱，两样品沉
的RFCVD相比，MWECR-CVD是一种较新的薄膜制 -1
积温度相同 （200 ℃），但不同之处是在640cm 处的峰
备和等离子体表面处理技术，它具有气体离化率高、 -1
面积S S 而a-Si:H薄膜中氢含量C 是和 640cm 处的
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