实空间电荷转移(RST)器件的研究.pdfVIP

实空间电荷转移(RST)器件研究 姜涛张鹤鸣戴显英崔晓英舒斌胡辉勇王喜媛 (西安电子科技大学微电子所，西安，710071) 摘要： 特性建立了该器件的电流一电压特性模型，并进行了模拟分析，结果表明，模拟结果与实验结果符合较好。 引言 实空问电荷转移器件(RST)是利用载流子的势垒贯穿效应，在异质结材料的基础上发展出来的 一种新型器件。其可以用单只器件实现目前多只器件才能实现的逻辑功能。 国内外的各种报道中仅有RST器件的结构及相应的实验数据和结果，并无相关的数学模型，包 括输入．输出的逻辑关系和电流一电压特性的理论公式，’本文基于RST的基本结构提出了一种计算输 入电压和输出电流的关系的模型，初步建立了其电流-电压方程。 RST器件的工作原理和基本结构 实空间电荷转移(RST)的概念可以描述为一个半导体薄层中的载流子，在平行于半导体界面的 电场中获得足够能量，并越过势垒到达邻近层。若在最底层加上一定的偏置电压，载流子就会被底 层电极收集，形成输出电流。 VS VD 图1为RST的原理剖面结构示意图。图示发射 区的载流予在源、漏(s、D)电场作用下获得能量 发生空间电荷转移如图箭头所示。在集电极偏压下 发射区 输出电流Ic是关于输入电压的“异或”功能，即 势垒区 Ic=xor(Vs，Vd)。 图2为器件的源、漏输入特性曲线和输出特性 收集区 曲线。输入电流首先随输入电压v*的增加而上升， 之后出现负阻效应。在一定的输出电压下，输出电 流Io随输入电压的增大逐渐增加。在交换输入电压 图1 vs和vo的情况下，Ic是不变的。因此，器件可以 完成输出电流关于输入电压的异或功能，输入电压 vd和vs可视为二个逻辑输入信号。 DrainBias VDs《V) 酗2 321 RST器件电流一电压方程的建立 图3所示为报道”’的SiGe材料RST器件的结构。本文建立的电流一电压方程中的各项参数也将 采用图中的结构参数。 r qⅦI． 1匕 r △艮,LqⅦ乙 f 7r T ●●●_ sI “№№(e：2x107) e：30rlltlBoron—由DedGe lepyer b：6∞Tim∞“S102 c nnlAI 10BITIm．1COnmlIN．500 SiGe 图3实空问电荷转移器件(