掺锰PLZT铁电薄膜的制备和其电学性质研究.pdfVIP

掺锰PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究 侯识华’，宋世庚’，郑应智1，马远新2，郑毓峰3 {1．中国科学院新疆物理研究所．乌鲁木齐830011；2．新疆医科大学基础部，乌鲁木齐$30054； 3．新疆大学物理系，乌鲁术齐830046) ．Y卸．5．1．0．1 摘要：采用S01．Gel法，在Pvno，,si基片上制备 5，2．0．2．5。首先将乙二醇甲醚加热 了不同掺Mn量的PLzT铁电薄膜．分析了薄膜的至沸腾．完全除去其中的水份，待其冷却后．将醋 晶相蛄柄．研完了Mn掺杂对PLZT轶电薄膜的介 酸铅、硝酸氧锆、硝酸镡、乙酸锰按化学计量比溶 电性能和蚨电性能的影响．蛄果表明，各薄膜均具 于乙二酵甲醚中．加热，不断搅拌，形成均匀、清 有钙拭矿型结构，且各薄睡均呈(100)择扰取向． 澈的无水溶液．冷至室温后，按【cH，COOW PLZT牲电薄膜的夼电·|生能和轶电性能随掺盘量的增TI(OC．珥)J吒0·【CH，COCH2COCHj11(oq％h】-1．8 加而改变．随着挣．珏量的增加，PL,ZT铁电薄膜的矫的摩尔比加入冰乙酸和zJ酰丙酮，按化学计量比加入 项电场强度值和刺案板化强度值均增大．接往量为 钛酸四丁醋，不断搅拌·最后按[HzO,Ti(OC4H9)j=4,3 1．5m01％的薄膜具有最佳的介电性能和铁电性能． 的摩尔比加入去离子水．并添加适量的乙二酵甲醚， 关键词t 搅拌t制得浓度为0．2M的均匀、清澈、透明的溶胺。 601-Gel滴}PLzT铁电薄膜；p哂掺杂； 电学性质 飞 ＼ 溶肢经过过滤．密封静置一定时间后，采用旋涂法 ／ ISpin-Costing]制备湿薄膜。其中．匀艘的基片转速 1引言 为3000r／rain，匀胶时闻为40s一将湿薄膜放在石英 瞥式炉中，在空气气氛中以约为5。C／mln的升温速 率由室温加热到500℃-在500℃保温O．抽，如此重 PLZT【PbI山“z‘Tit0。柚03】铁电薄膜具有优 异的介电特性、铁电特性、压电效应、热释电效应、 复20次．最后将薄膜以约为6。C／raLn的升温速率．由 电光效应、声光效应、光折变效应、非线性光学效 室温加热到550℃．在550℃保温3h．然后随炉自然 应等性能．在微电子学、光电子学、集成光学和微 降温．制得厚度约为600Ⅲ的PLZT薄膜． 电子机摭系统等领域有着广阀的应用前景”’≈．PLZT 为测量薄膜的电学性质，采用真空蒸发洁在 铁电薄膜的制备方法很多．主要有：嘏射法、溶胶· PLZT薄膜表面沉积铝薄膜作为上电极·上电极直径 为lmm。采用M18Xc2型x射线衍射仪分析薄膜的 凝胶法[Sol-Gel】、脉冲激光沉积法[PLD】、叠属有机 j去 化学气相沉积法FMOCVD]等12I．本文采用Sol-Gel晶相结构．采用／-Ⅲ4194A型复阻抗分析仪测量薄膜 ■ 制备了不同掺Mn量【o．5-2．5m01％]的PLZT铁电薄电容和介电损耗，测量频率范围为100酬MHz- r=c#