面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术地研究.pdfVIP

海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会专题报告文集 面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究 罗毅，胡卉，韩彦军，郭文平，邵嘉平，薛松，孙长征，郝智彪 (清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室) 摘要综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓 发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、 AIGaN／GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最好水平。目前， 本实验室研制的LED芯片的主要技术指标已经达到半导体照明的初期要求。 关键词氮化镓(GaN)；发光二极管(LED)；材料外延；千法刻蚀 l主要进展 基于氮化镓基半导体材料的高亮度蓝／绿色发光二极管(LED)在信息显示和固态照明等 4,明和工艺制作技术¨’71是近年来的研究热点。 领域具有广阔的应用前景‘1-31其材料外延1 清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室经过近两年的努力在面向半导体照明的氮 化镓发光：极管产业化技术研究方面取得了一些突破，目前的主要进展如下： 1．1提出了新型有源区多量子阱结构，优化生长参数、开发具有自主知识产权的外延技术， 外延片质量取得了突破性进展，LED芯片的电致发光光谱特性优异 高质量的InGaN／GaN多量子阱有源区生长是GaN材料研究中的难点，也是各研究小组和 生产厂商的核心技术。我们以高光功率输出、优异的光谱特性为目标提出了新型量子阱结构， 并通过优化生长参数获得了具有自主知识产权的外延技术。这里所说的优异的光谱特性是指 发光波长的稳定和极窄的光谱半宽。发光二极管中心波长随注入电流变化是外延片材料制备 所遇到的关键难题之一，众多商品化的LED芯片发光的中心波长一般随注入电流增大而蓝 移、造成发光波长的严重不稳定。 由丁．我们采用了新型In。Ga。N／GaN一多量子阱有源区结构，并对各项外延生长参数进行 了全面优化，生长出的外延片材料有效地抑制了发光复合过程中的极化效应，所制成的LED mA时峰值发光波长基本保持不变(蓝移量1ram)，而 芯片在注入电流从2IIlA变化到120 ．64— 海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会专题报告文集 尊 相同条件下测量的某进口管芯在注入电流变化至60IIlA时中心波长蓝移量已达5nm(在蓝 绿光波段，此蓝移量可被人眼明显觉察到)；此外，LED芯片电致发光光谱的半高宽也是衡 11lA 量外延片质量的重要参数之一，半高宽越窄，发光颜色越纯。本课题生长的外延片芯片20 注入下的电荧光光谱的半高全宽仅为18nm，并且随注入电流变化(2、120mA)仅为3nm， 而该进口管芯20IIIA时光谱半宽值便达28nm，80IIlA即超过35Dill。通过上述比较可知： 本课题研制出的外延片的光谱特性较之市场上商品化的LED器件具有明显优势，据我们所知 该光谱特性是国际最好水平。 置和半高宽随注入电流的变化曲线。 一_Ha一=墨享：I_日j皇v§■∞ 如期∞钳矩如勰孙H娩如侣 0 20 40 60 80 100 120