蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO2外延薄膜的研究.pdfVIP

蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO 外延薄膜研究 2 1 熊杰 ，陶伯万，谢廷明，陈家俊，刘兴钊，张鹰，李金隆，李言荣 （电子科技大学微电子与固体电子学院，成都，610054） 摘要：实验采用射频溅射法在（1102）蓝宝石基片上制备（00l）取向 CeO 外延薄膜。 2 低温、低溅射功率都会导致CeO2 薄膜呈（111）取向生长。当基片温度在700℃～750℃，溅 射功率在 100～150W 范围内能够制备得到高质量（00l）取向 CeO2 缓冲层。所制备的 CeO2 薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面。用这些缓冲层作为生长面制备得到的 YBa Cu O (YBCO)超导薄膜为完全（00l）取向，且面内取向性良好，并具有优越的电学性 2 3 7-δ 6 2 能：其临界转变温度（Tc）为89.5K，临界电流密度Jc（77K，0T）约 1.8×10A/cm ，微波 表面电阻Rs(77K,10GHz)大约为 0.50mΩ，能较好的满足微波器件应用中的需要。 关键字：YBCO 超导薄膜，CeO2 缓冲层，外延生长 1．前言 高温超导薄膜例如 YBa Cu O (YBCO)的微波表面电阻 Rs 比常规金属材料小几个数 2 3 7－δ [1] ，可以用于设计高性能的无源微波器件，例如滤波器、谐振器、延迟线等。蓝宝石的 量级 [2，3] -5 [2～4] 介电常数小（ε =9－12） 、介质损耗低（tanδ 3×10 ） ，微波性能优异，机械强 0 度大，而且热导率高，是LaAlO [5] 3 基片的20 倍以上 ，大面积的蓝宝石单晶材料已经工业化 [6]。因此，是很好的基片材料。但是Al O 与YBCO 间晶格常数，热膨胀 生产且价格相对便宜 2 3 [4，9] 。直接在蓝宝石上沉积YBCO 超导薄膜， 系数差别大，且在基片与膜之间发生严重的扩散 [6，7] 。缓冲层的 其薄膜超导性不好。为了解决上述问题，研究人员对多种缓冲层进行了尝试 晶格常数和热膨胀系数必须介于蓝宝石与YBCO 之间，且化学性质稳定，在高温下不发生反 应。通过大量的实验证实，CeO2 是一种非常合适的缓冲层材料。 [7] CeO2 为立方晶体萤石结构，晶格常数为 0.5411nm ，与YBCO 匹配上有着绝对性的优 [8] 势（失配度1％），介电常数约为26 ，高温下化学稳定性好、机械强度高、结构致密，是 很好的缓冲材料。 本论文主要研究了基片温度，溅射功率等工艺参数对CeO2 薄膜生长的影响。我们也在 作者简介：熊杰, 1979 年生, 男, 硕士研究生, 现就读于电子科技大学微电子