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- 2017-08-16 发布于重庆
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CT分析仪的测量原理简述.doc
CT分析仪的测量原理简述
一、比差和角差的测试计算方法
Iex :总励磁电流
ICT :二次端子电流
IST :总的二次电流
Ip :一次电流
Lp :一次绕组漏抗 ( 可忽略)
Lmain: 主电抗
Ls :二次绕组漏抗( 可忽略)
Np, Ns: 理想互感器的匝数
N :匝比
Rct :二次绕组的电阻
Reddy :涡流电阻
RH :磁滞电阻
Rp :一次绕组电阻 ( 可忽略)
UC (VC): 在主电抗(Lmain) 上的二次励磁电压
UCT (VB) :在二次端子上的电压
ZB :负载
Zload :总负荷阻抗(ZB + RCT)。
比差的计算是基于磁化表格的(在二次侧升电压、测试励磁电流和励磁角)。 对于给定的励磁电压VC, 通过励磁表格可以找到相应的励磁电流Iex 和Iex 、VC 间的相位。 因为比差的定义是用一次电流Ip 和二次负荷电流ICT,励磁表格可以用来确定对于特定铁芯, 相对于给定的VC (不同的负载阻抗就有不同的VC值)的ICT值。 假设额定匝比Nrated 和匝比Nturns已知,对于给定一次电流Ip 和负载阻抗ZB、φ后的比差计算如下(Ist 总是作为参考指示):
1. 负载阻抗的实部和虚部计算如下:
RB=ZB×cosφ;XB=ZB×sinφ
2. 总负载阻抗的计算;
Zload ; Rload=RCT+RB,Xload=XB,Zload2=Rl
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