半导体物理基础2.pptVIP

* * 二、本征半导体和杂质半导体 半导体是一种具有特殊导电性能的功能材料，其电阻率介于10-4到1010欧姆?厘米之间，介于金属导体和绝缘体之间。半导体的导电性质可以随着材料的纯度、温度及其它外界条件（如光照）的不同而变化。 1、什么是半导体？ 在上一节中，我们从电子填充能带的情况说明了什么是半导体。 2、本征半导体 所谓本征半导体就是一块没有杂质和缺陷的半导体。在绝对零度时，价带中所有量子态都被电子占据，而导带中所有量子态都是空的。当温度大于零度时，就会有电子从价带由于本征激发跃迁至导带，同时在价带中产生空穴。由于电子和空穴是成对产生的，导带中电子的浓度no应等于价带中空穴的浓度po，即有：no=po. Ev Ec Eg 本征激发 n0 p0 n0=p0=(NcNv)1/2 exp(-Eg/2kT) = ni Nc、Nv 是导带底和价带顶的有效状态密度； k是波耳兹曼常数； T为温度； Eg是禁带宽度； （详细推导请参阅刘恩科等所编的“半导体物理学”） ni称为本征载流子浓度 3、杂质半导体 在实际应用的半导体材料晶格中，总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。包括存在各种杂质和缺陷。实践表明：半导体的导电性可以通过掺入适量的杂质来控制，这是半导体能够制成各种器件的重要原因。例如对本征半导体硅（Si）掺入百万分之一的杂质，其电阻率就会从105欧姆?厘米下降到只有几个欧姆?厘米。 以下我们以Si中杂质为例来介绍半导体中杂质的作用。 替位式杂质和间隙式杂质 半导体中的杂质，主要来源于制备半导体的原材料纯度不够；半导体单晶制备过程中及器件制造过程中的沾污，或是为了控制半导体性质而人为掺入某种化学元素的原子。 杂质进入半导体后分布在什么位置呢？ 施主杂质、施主能级 下面讨论硅中掺磷(P)的情况： Si P - + 当一个磷原子占据了硅原子的位置，由于磷原子有五个价电子，其中四个与周围四个硅原子形成共价键，还剩余一个价电子。同时，磷原子所在处也多余一个正电荷。所以磷原子替代硅原子后，其效果是形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P+周围。 在正电中心周围的那个多余的价电子受到的束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很少的能量就可以使它挣脱束缚成为导电电子在晶格中自由运动。这时，磷原子就成为少了一个价电子的磷离子(P+)，它是一个不可移动的正电中心。上述电子脱离杂质原子束缚成为导电电子的过程称为杂质电离；使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能。用?ED表示，实验测量表明： V族杂质元素在硅中的电离能很小，约为0.04-0.05eV。 杂质电离 V族杂质在硅中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们是施主杂质或 n型杂质。它释放电子的过程叫做施主电离。施主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后成为正电中心，称为离化态。 施主杂质的电离过程，也可以用能带图表示 将被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为ED。当电子得到能量?ED后就从施主的束缚态跃迁到导带成为导电电子，所以ED比导带底Ec低，并且由于?ED《Eg，所以施主能级位于离导带底很近的禁带中。 在纯净的半导体中掺入杂质，杂质电离后，导带中的导电电子增多，增强了半导体的导电能力。通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。 在n型半导体中： 电子浓度n》空穴浓度p 电子是多数载流子，简称多子， 空穴是少数载流子，简称少子。 np=ni2 受主杂质、受主能级 当一个硼原子占据了硅原子的位置，由于磷原子有三个价电子，当它与周围四个硅原子形成共价键时，还缺少一个价电子，必须从别处的硅原子中夺取一个价电子。于是，在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。同时，硼原子接受一个电子后成为带负电的硼离子(B-)，称为负电中心。所以硼原子替代硅原子后，其效果是形成一个负电中心B-和一个空穴。 下面讨论硅中掺硼(B)的情况： Si Si Si Si Si Si Si Si Si B- + 带负电的硼离子和带正电的空穴之间有静电引力作用，所以这个空穴受到硼离子的束缚，在硼离子附近运动。不过，这种束缚是很弱的，只需很少的能量就可以使空穴挣脱束缚成为在晶体的共价键中自由运动的导电空穴。而硼原子成为多一个价电子的硼离子，是一个不可移动的负电中心。 因为III族杂质在硅中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，所以称它们为受主杂质或p型杂质。空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离。受主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态。电离后成为负电中心，称为受主离化态。 受主杂质的电离过程也可以用能带图表示。 将被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级，记为EA。当 空穴得到能量?EA后