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硅压力传感器的非线性的研究 沈桂芬，付世，丁德宏，姚朋军，张宏庆，范军 物理系?辽宁大学．中国沈阳110036,联系电话：024 e-mail：shenguifen@163．com [摘要]本文分析了硅压力传感器的线性与非线性，讨论了非线性产生的原因，并提出了硅 压力传感器的优化设计方法。 [关键词]压力传感器非线性线性度内补偿 引言 本文在分析扩散硅压力传感器产生非线性的原因基础上，提出了压力传感器的优化设计 方法。 1．传感器的静态特性 静态特性是表示传感器在被测物理量置于稳定状态的输入—输出关系。理想传感器其静 态特性表示为： (1) )，=s。+Sl一十s2石2+…．．+S。．， 无信号输入时仍有输出)，=品≠o，则这种现象称为零偏。 在理想情况下：此时输入一输出的关系曲线是线性的。 满足 嚣s。：y--y／S工ix：々}(其中七为灵敏度) (2) 当z只有奇次项时， (3) )，(工)=一y(一石) z的高阶只有偶次项，则有 (4) y=口。+Ⅱ2工2+n424+…… 在实际使用中，可把实际曲线的某一段用切线或割线来代替，这种做法叫静态特性线性 化。 2．非线性误差 2．1非线性误差的定义 非线性误差定义是在输入—输出之间具有的函数关系V=V(x)，实测曲线与理想曲 线的最大偏差与满输出量程值的百分比，可表示为： (5) ,vz,(x)=av．／v扫xiOO％ 第八届全国敏感元件与传感器学术会议论文集 2．2非线性误差产生的原因 2．2．1压阻效应的非线性 一般情况下，扩散硅压敏电阻可表示为‘11 (6) L) R(P)=R(O)(1+aP+／3P。+7P3+L 引入NL?表示压阻的非线性。 仅考虑压力的一次项时有： 州即)]-幽掣躲菩咝 (7) m 舯膨=网d JR(P)-R(0)]一萼掣 同时老虑乐力的=渐I面．2渐I面时有【2】． NL[R㈣，=±[掣+粤捌 ㈣ (8)式表明非线性是由二次效应和三次效应组成的。利用奇偶函数的性质可把这两种 效应区别开来，并可以由NL+的实验曲线与别的方法求得卢／口和∥口，在已知a时便可求 出口和r。 。卢：掣穹鼎拦磐 (9)… 【2P(己一P)】／己