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MBE生长的MHEMT器件的基本研究 吴旭 陈效建 李拂晓 杨立杰 (南京电子器件研究所210016) 摘要本文报告了一种MHEMT器件的基本研究结果．是在北京物理所研制的MHEMT材料上， 在2英寸GaAs工艺线上根据InPHEMT工艺制造成功的。初步的结果对比超过了在相同条件下的 MESFET，HEMT器件的结果．表现出了MHEMT器件性能方面的优势。 1．引言： MHEMT器件是由HEMT器件(高电子迁移率器件)发展而来的最新的器件。从材料的层结构上 HEMT的高电子浓度，高迁移率和高饱和速度的优点，而且摆脱了InP衬底成本高、工艺加工时机械 异质结晶格不匹配．所以如何解决这个问题成为MHEMT器件生长技术的关键。 本文所报道的是在中科院物理所提供的MHEMT 材料上，采用本所较成熟的工艺所制造出的MHEMT 器件结构。在设计器件的版图时，采用了可供微波测 试用的共面波导接触(cPw)图形．同时，简化工艺过程， 降低工艺对器件的影响，以尽可能反应出器件固有性 能的优点。在制造过程中采用了台面隔离技术，源 漏层和栅层都采用了常用的金属结构。下面我们将 详细的讨论这种器件的结构和性能。 图I MHEMT器件层结构 2．模拟： 为了验证MHEMT器件具有优异的性能，我们对相同结构的三种器件进行计算机模拟，得到了表 1的结果．从图表中可以明显地看出，MHEMT器件直流、微波特性都占绝对的优势。(注：Q2d为二维 电子气浓度，Isat为源漏饱和电流) 表1． 三种器件性能的比较 Gm(mA) 2) Isat(mA／mm) 器件 Q2d(／ore fr(GHz)(Vg=OV) HEMT7．667*E1l159 312．9 5．2 PHEMT1．494*E12309 449．0 13．8 MHEMT3．引O+E12 788．2 694．8 20．7 3．器件结构和器件工艺 较厚的1n。A‰As应变缓冲层．在缓冲层中In含量由低到高地渐变用以消除衬底材料同沟道区材料晶 格不匹配的问题使沟道区的ln含量不受衬底材料的影响，是MHEMT器件中的一大特点．的在缓冲层上 子．由于lnGaA sdlnAIAs异质结结构的导带能级差△Ec较大， 电子不易从量子阱中逸出．保证了沟道中的高电子浓度，而且 InAIAs／InGaAs异质结在In为高组分的条件下依然可以保证 晶格匹配，从而提高器件的截止频率和最高振荡频率，因此以 lnAlAs／lnGaAs为异质结的MHEMT器件比HEMT和PHEMT HEMT 具有更加优良的性能。在制造MHEMT器件中使用了lnP 中的成熟工艺．为了便于剥离．又能够满足器件性能的需要， 1 源漏金属结构采用蒸发AuGeNi 00nm+溅射Au250nm的工 艺。肖特基势垒的制作采用了常用的Ti／Pt／Au结构． 图2 MHEMT器件版图 在版图设计中只设计了最基本的MHEMT器件结构，同时工艺过程尽量简化，以消除离子注人工 艺和干法刻蚀工艺及台面结构可能引起的对器件的工艺损伤，充分体现器件本征的性能。器件的版图中 设计了可供微波测试用的共面波导接触(CPW)图形，以直接通过在片测试获取器件的微波特性，如 图2。 4．MHEMT器件的直流特性和微波特性： um。 研制的MHEMT器件的单栅指宽为100urn，源漏的间距为4um，栅源的间距为lum，栅长I．3 图3中给出了器件的直流特性，在图3中我们可以看出，器件最大的跨导出现在栅电压Vgs处于一 1．5V～．1 V之问