NH-%2c4-OH%5cH-%2c2-O-%2c2-水溶液中硅表面的原位曼光谱的研究.pdfVIP

第}-一届全国、}导体集成电路、硅材料学术会议 NH。OIt／H：O：水溶液中硅表面的原位喇曼光谱研究 王敬屠海令朱悟新周旗钢刘安生张椿 (北京有色金属研究总院，北京100088) 摘 要 液中的变化过程。研究表明：在硅片浸入SC．1溶液的过程中，其表面逐渐被两 种氧化物所覆盖，一种是由于NH。OH作用形成的氧化物，另一种是在NH。OH 和H：O：共同作用下形成的、并与氧相关的氧化物。除此之外，硅片表面有少量 的Si．H键存住。 、 月U 舀 随着大规模集成电路j二业的迅猛发展，肘硅片表面清洁程度的要求越来越高，有关硅 片清洗的研究非常活跃。在工业生产中，r泛使用硅片清洗方法是RCA湿化学清洗T艺， 颗粒和金属沾污…。SC—l溶液中的NH。OH具有腐蚀硅表面的作用，具有氧化性的H：O： 的加入使硅表面生成非常薄的氧化层，能增加表面的活性和亲水性。然而，对硅表面化学 态在该溶液中具体的变化过程并不十分清楚，这需要对SC．1溶液中的硅表面化学态进行 原位和实时蜕测。