微带芯片互联失配分析及匹配电路设计.pdfVIP

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2017-08-15 发布于湖北
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微带芯片互联失配分析及匹配电路设计.pdf

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微带芯片互联失配分析及匹配电路设计.pdf

第35卷第1期固体电子学研究与进展 RESEARCH PROGRESSOFSSE Vo1．35，No．1 2015年 2月 Feb．，2Ol5 射频与 I( 微一波微带芯片互联失配分析及匹配电路设计刘娟钱兴成朱臣伟 (南京电子器件研究所，南京，210016) 20I4-11-12收稿，2014—11-22收改稿摘要：20GHz以上，当微带衬底材料的介电常数较低 (￡一2．2)，而 GaAs芯片的介电常数为 12．9时，直接用 50Q微带互连会产生较大的反射。对微带芯片互联的失配形式进行了分析和研究，采用在微带与芯片间加～段高阻微带线的方法进行匹配互联，并针对于 25~30GHz频率范围对高阻微带线宽度和长度进行仿真和优化。相对于直接互联，匹配互联的插入损耗减小了0．4dB左右，回波损耗减小了 9dB以上。最后对直接互联和匹配互联分别进行实物加工装配，测试结果与仿真结果相吻合。关键词：引线键合互连；插入损耗：回波损耗中图分类号：TN454；TN624 ．3 文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2015)01—006704 AnalysisofM icrostrip—chip Interc0nnecti0nDismatch and Design ofItsM atchingCircuit LIU Juan QIAN Xincheng ZHU Chenwei (NanjingElectronicDevicesInstitute，Nanjing，210016，CHN) Abstract：AsthedielectricconstantofGaAschip is12 ． 9，itsdirectbonding through 50Q miscrostriptoalow dielectricconstantsubstratesuchas2 ． 2willcausethetargerreflectionwhen thefrequencyishigherthan20GHz．Inthispaper，thedismatchreasonsofmicrostrip ～ chiDinter— connectionhavebeenanalyzed．Themethodofadding ahighimpedancemicrostrip between the chipand microstripasthematchingcircuitisused ． Thewidthandlengthofthishighimpedance m icrostriparesimulated andoptim ized from 25 GHzto 30 GHz Thesireu1ation resuitsshow