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微带芯片互联失配分析及匹配电路设计.pdf

第35卷 第1期 固体电子学研究与进展 RESEARCH PROGRESSOFSSE Vo1.35,No.1 2015年 2月 Feb.,2Ol5 射 频 与 I( 微一 波 微带芯片互联失配分析及匹配 电路设计 刘 娟 钱兴成 朱臣伟 (南京电子器件研究所 ,南京,210016) 20I4-11-12收稿 ,2014—11-22收改稿 摘要 :20GHz以上 ,当微带衬底材料的介 电常数较低 (£一2.2),而 GaAs芯片 的介 电常数为 12.9时,直接用 50Q微带互连会产生较大的反射 。对微带芯片互联 的失配形式进行了分析和研究,采用在微带与芯片间加~段高 阻微带线的方法进行匹配互联 ,并针对于 25~30GHz频率范围对高阻微带线宽度和长度进行仿真和优化 。相对 于直接互联 ,匹配互联的插入损耗减小 了0.4dB左右 ,回波损耗减小了 9dB以上 。最后对直接互联和匹配互联分 别进行实物加工装配 ,测试结果与仿真结果相吻合 。 关键词 :引线键合互连 ;插入损耗 :回波损耗 中图分类号 :TN454;TN624 .3 文献标识码 :A 文章编号:1000—3819(2015)01—006704 AnalysisofM icrostrip—chip Interc0nnecti0nDismatch and Design ofItsM atchingCircuit LIU Juan QIAN Xincheng ZHU Chenwei (NanjingElectronicDevicesInstitute,Nanjing,210016,CHN) Abstract:AsthedielectricconstantofGaAschip is12 . 9,itsdirectbonding through 50Q miscrostriptoalow dielectricconstantsubstratesuchas2 . 2willcausethetargerreflectionwhen thefrequencyishigherthan20GHz.Inthispaper,thedismatchreasonsofmicrostrip ~ chiDinter— connectionhavebeenanalyzed.Themethodofadding ahighimpedancemicrostrip between the chipand microstripasthematchingcircuitisused . Thewidthandlengthofthishighimpedance m icrostriparesimulated andoptim ized from 25 GHzto 30 GHz Thesireu1ation resuitsshow

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