用商用Gd制备的Gd-%2c5-Si-1.85-Ge-2.15-的结构变化的研究.pdfVIP

用商用Gd制备的Gd，Si¨，Ge：．，，的结构变化研究‘ 陈艳萍，龙毅，万发荣 dE京科技大学材料学院，北京100082) 擅蔓一采用田产商用鲁通Gd和在此基础上挺纯的 高地Od制成Od，siⅢ鸥u两种样品，在220．一300K 3实验结果与讨论 温度范围内甘样品进行热膨胀洲试。然后在／=200K 和zq98K沮廑下，进抒X射绒衍射测试，蛄果发3．1样品的热磷胀分析 现两种样品的晶体蛄构在低温区和在高温区是不同 圉1是高纯Gd与普通Gd样品的热膨胀随温度 的，表明甩商甩Gd也螺产生蛄袖相变． 变化的曲线图．根据文献”确定居里点的方法。由图 美薯诩-CsdSiGe台金l热■胀；结构相变 可知。样品1在Tp260K附近时，曲线发生陡峭变 化，其相应的体积膨胀量△∥Pr=3(△上圮，砘8I％； 1引言 而样品2在T8265K附近时，曲线发生陡峭变化． 其相应的体积膨胀量△ny=3(出JL)卸．75％；但是 近年来，美国依阿华州立大学Ames实验室发两者的曲线匿都表明材料在260I左右发生了结构相 变。 现巨磁埔变材料Od,(SjxOe．烈oxty”l这些材 料在磁相变的同时有结梅相变，因此增太了它们的 磁赡在磁场中的变化·倒如，C-dsSi：G包的磁热效应 是至今所发现的最好室温制冷材料Od的两倍11-2q· 但是．具有巨融熵变的GdSiC,e台金材料对Gd的纯 酬矿 度的要求特别高，而一般商用Gd制备的GdSiGe没 }1 有显示巨磁敝效果。据报导这是因为0d中少量杂 各ivⅣ董曹墨 ．缚兰』／“2 质使其不发生结构相变m．为了研究杂质对OdSiGe 的物理性能影响．本文采用商用普通Od和在此基础 谴度T／K 上撮纯的离纯Gd制成c_地sit-如”两种样品，通 圈I热膨胀一温度关系曲线田 过测试它们的热膨胀一分析GdSiGe的结构随温度的 3．2样品的x射馊衍射分斩 变化． 图2’3是样品1、样品2在弘200K和T=298K 2实验方法 t 99．5％· 本文采用的原料纯度为：商用普通Gd 和在此基础E据炖的高斑Od：99．99％·Si：99．9％· Gej99．9％．由商纯Gd与昔通Gd制成G也SildG电15 耋量}口置2 两种样品．即样品l和}莘品2的合成是由非自耗真 空电弧炉在董气气氛中熔炼而成r为使成分均匀· 每个试样至少翻熔三次．利用激光干涉仪和低温装 2吖f) 置在220-,-300K进行热膨胀渭试．对试样粉末进行 图2样品I曲x射线雷 奎温和低温X射线衍射分折· ●基生硬目t宣毫喜蒜抖攀基盘竞曲项目 t功瞄●抖晤■刊·2∞l一10 ，13 构的同时伴随着从低温的PIl2l／a单斜晶胞结构转变 1 到高温的Pnma正交晶胞结构，因而舍产生巨磁卡 篁 效应“。 l， 4结论 i 鬯 粉末x射线衍射和热膨胀实验表明：无论由高 Z4嚣Z8舶掘N弱弼帅啦 纯Gd制成的还是