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固体物理复习整理 第12章 什么是布拉菲格子？ 布拉菲格子与晶体结构之间的关系. 什么是复式格子？复式格子是怎么构成的？ 原胞和晶胞是怎样选取的？它们各自有什么特点？ 如何在复式格子中找到布拉菲格子？复式格子是如何选取原胞和晶胞的？ 金刚石结构是怎样构成的？ 氯化钠、、？ 根据能量公式求得能态密度？——构建微元或者从等能面出发讨论。 求T=0K的费米能级？ 通过布洛赫定理求状态波矢？ 已知正格子晶体，求得紧束缚近似的能量公式？ 根据能量公式求得：电子运动速度、电子和空穴的有效质量、能带宽度ΔE、禁带宽度等？ 第15章 1、半导体呈本征型的条件？ 2、什么是非简并半导体？什么是简并半导体？ 3、N型和P型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式？ 4、非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化？5、 半导体在室温全电离下的电中性条件？6、由于简并半导体形成杂质能带，能带结构有什么变化？ 内容 半导体（硅、锗）的能带结构； 本征半导体和杂质半导体； 非简并半导体平衡状态下的讨论； 简并半导体 概念 导带、价带、导带底EC、价带顶EV、导带（底）电子、价带（顶）空穴？ 硅、锗半导体的导带和价带结构； 直接带隙半导体和间接带隙半导体的区分，以及典型的物质？ 有关“本征”的定义：本征半导体、本征费米能级、本征载流子浓度、本征激发、本征激发的电中性条件； 有关“杂质”的定义：杂质半导体、杂质（施主受主）、杂质能级（施主能级ED受主能级EA）、杂质电离能（施主电离能ΔED受主电离能ΔEA）； 杂质补偿的概念？ 类氢模型的讨论； 平衡状态下，非简并半导体和简并半导体的载流子（电子和空穴）浓度公式，公式的物理解释以及与温度和能量之间的关系； 本征半导体：本征载流子的来源？本征载流子浓度随温度的变化？本征费米能级的位置？ 平衡状态下，非简并半导体的费米能级变化——随温度、掺杂类型和掺杂浓度？ 关于非简并半导体和简并半导体的定性描述：电子占据、公式、统计分布、费米能级、掺杂、、室温电离程度等…… 简并化条件？弱简并条件？ 杂质能级电子和空穴占据几率以及浓度公式？ 电中性条件的讨论？ 方法 利用非简并能带公式完成一些推导和计算？（结合后续章节的物理概念） 利用杂质补偿完成一定的推导和计算？ 利用电中性条件完成一些推导和计算？ 利用实现一些推导和计算？ 第16章 1、散射的原因是什么？ 2、载流子的迁移率和电导率公式？ 内容 载流子的散射； 半导体的漂移运动以及迁移率、电导率和电阻率、漂移运动一起的电流密度的公式； 概念 散射的原因，以及主要的散射机制？ 公式：迁移率、电导率、电阻率、漂移运动的电流密度 方法 可以利用以上公式实现一些推导和计算？（与半导体其他章节的物理概念相结合） 第17章 1、什么是准费米能级？ 2、多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离有什么不同？3、爱因斯坦关系式？ 内容 非平衡载流子以及准费米能级的概念； 复合理论与非平衡载流子寿命的讨论； 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系式 概念 非平衡载流子的概念？ 非平衡载流子寿命的概念——平均寿命——注入或者抽取的非平衡载流子浓度衰减到原先1/e所需时间？公式17.1-6的物理含义？ 准费米能级的概念，以及光学小注入下电子和空穴准费米能级的定性描述？ 半导体偏离热平衡的程度：公式17.1-17？ 平衡载流子复合的分类？ 深能级是有效地复合中心？ 载流子扩散运动产生的原因？扩散系数的概念？ 扩散流密度和扩散电流密度的公式？ 稳态扩散的概念，以及对公式17.4-3，17.4-5的物理解释？ 扩散流电流密度公式？扩散运动和漂移运动共存下的电流密度？ 爱因斯坦关系式？物理意义？ 方法 小注入小准费米能级的讨论：公式分析？作图比较？ 扩散和漂移运动电流密度的讨论？ 第18章 1、什么是P-N结的空间电荷区？自建场是怎样建立起来的？ 2、平衡P-N结和非平衡P-N结的能带图？ 3、什么是功函数？什么是电子亲和能？ 4、金属-半导体接触的四种类型？ 5、金属-半导体整流接触特性的定性解释？ 6、在考虑表面态的情况下，怎样形成欧姆接触？ 内容 P-n结 半导体表面效应 金半接触 概念 平衡状态下费米能级是统一的？ P-n结：自建场？空间电荷区？接触电势差？势垒高度？ 平衡p-n结的三个部分以及非平衡p-n结的五个部分：名称？费米能级？载流子浓度分布？非平衡载流子分布？ 理想p-n结的概念？ 肖克莱方程？物理含义？ P-n结击穿和电容的类型？ 表面施主态？表面受主态？ 半导体表面态的三种状态（n型p型）——能带弯曲：多子积累、多子耗尽、反型？ 功函数？电子亲和能？En？肖特基势垒高度？费米能级的关系? 肖特基势垒模型下的四种类型？ 金半整流接触正反偏压的连接：n型？p型？ 金半整流接触和半导体p-