铸造多晶硅中氧的性质的研究.pdfVIP

铸造多晶硅中氧的性质研究 杨德仁，马向阳，樊瑞新，阙端麟 硅材料科学国家重点实验室，浙江大学，杭州310027 摘要：铸造多晶硅是低成本高教率的新型太阳能光电转换材料，其中氧是重要的杂质。 本文研究了在原生铸造多晶硅中氧的宏观、微观分布性质、原生热施主的性质和对材料电 学性能的影响，并讨论了铸造多晶硅中氧的影响因素。 1．引言 低成本高效率的太阳能光电转换利崩是国际光伏下业和研究界追求的目标。欧共体 的设立希望到2010年太阳能所提供的电力能达到总电力的1％。为了达到这个目的，利用 低成本光电转换材料是1F常重要的。到目前为L}：，光电J：业还是建立在晶体硅的基础上， 世界上的绝大部分的光电器件是用品体硅制造的。现在国际工业界硅太阳能电池的转换效 率在13．16％，期望在不久的将来能接近17．20％。自八十年代中期铸造多晶硅发明和应用 以来．增长迅速，它以相对低成本、高效率的优势不断挤占单晶硅的市场，成为最有竞争 力的太阳能用电池材料。但是和直拉硅单晶相比，其光电转换效率略低于直拉硅单晶，其 中的杂质和缺陷限制其转换效率的主要原因。 氧是铸造多晶硅中的主要杂质，国际上已有研究小组在研究氧对材料光电转换效率 的影响，但在研究结果上存在争议，有研究小组认为氧会降低转换效率，另有研究小组则 认为氧能促进转换效率，都没有从根本J：阐明氧的作用机理。在直拉硅单晶中氧是最重要 的杂质，在J：艺制造的热处理过程中，处于晶格间隙位置的氧会产生扩散偏聚，形成氧沉 淀、热施主和新施主杂质团，并引入新的层错、位错缺陷．对硅材料的机械电学性能有严 重的影响．正是由于其重要性，直拉硅单晶中氧的性质由于已被全世界的科学家广泛研究， 是硅材料研究的热点之一。但和直拉硅单晶相比，铸造多晶硅的晶体生长方法不同．热历 史不同，有大量高密度的位错．晶界等缺|j}；引入，也有其它杂质(如碳)的引入，这些冈 素很明显会对铸造多晶硅中氧的行为及原生状态产生重要影响。 本文研究了原生铸造多晶硅样品中氧的分布性质、原生热施主的性质和对材料电学性能 的影响。 2．实验 实验样品取自BAYER公司产铸造多晶砖，样f铺经机械抛光，厚度为2mm；样品为P 型掺硼，电阻率为1欧姆厘米左右。样晶分别在室温和低温液氦温度，用113v型红外光谱 仪在中红外和远红外区域测量杂质浓度和热施主形态和浓度．其中氧浓度的瘦正因子为3 并用透射电子显微镜观察氧沉淀的结构。 3．实验结果和讨论 奉项目由高等学校博t一学科点々项科研基金、教育郭优秀青年教帅基金和教育部留学川国人疑基金资助 78 (1)原生氧浓度 i 圈1是铸造多晶硅上部和下部(底部)样品的室温中红外光谱图，图中1107cm1红 Dkq_懂t州l■IW．_me-岫 强l铸造骞鑫硅上邦释T舔t疵部)择晶 盈2氧浓瘦在铸造多晶硅串嚣晶体生长方 的室温中红静光潜盈 向的分布 外吸收峰是氧的伸缩振动吸收。由图中可知，铸造多晶硅上部样品的氧杂质含量较低，而 下部(底部)样品则含有较高的氧浓度。图2是氧浓度在铸造多晶硅中沿晶体生长方向的 分布，从图中可以看出，氧浓度由晶体下部到上部逐渐减低。这主要由两个因数决定，一 是晶体的下部靠近石英坩埚的底部，当多晶原料硅溶化成液相时，液态硅在高温下严重侵 蚀石英坩埚，其作用式： 0 S 0 Si+Si 2一一2 i i j 少量s 0从熔体表面挥发，其它s 0则在熔硅中分解，作用式为： Si 0一一Si+O 分解的氧便引入熔体中，最终进入硅晶体。和直拉硅单晶生长时不同，铸造多晶硅生长时， 硅液体中没有机械强迫对流， 氧在液体中传输主要取决于热对流，因此传输速度很慢。在 晶体底部和坩埚接触部分，氧浓度较高：而在晶体上部，没有和石英坩埚直接接触，其氧 来自其它部位的传输，因此，在晶体底部的氧浓度较高，氧浓度由晶体底部到上 低，在晶体上部氧浓度低于探测极限。 另一种可能的原因是：氧在硅中的平衡分 1．25，大于l，根据杂质分凝原理，在晶体底部，即硅晶体首先凝固部分，氧