太阳电池中CdS薄膜的制备与其性能的研究.pdfVIP

太阳电池中CdS薄膜的制各及其性能的研究 黎兵邵烨郑家责蔡伟蔡亚平张静全冯良桓 (四川大学材料科学系 成都610064) 析，同时阐述了两种不同方法下CdS膜的生蚝沉积机制。 关键词：fCdS薄脯化学池沉积法ICB酚，真空蒸发法 L Z ＼ 、 k k 0引言 CdS薄膜在异质结太日{电池中是一种重要的n刑窗口材料，它的制备可以通过真空镀膜、分子柬 外延、高温热喷涂及化学沉积等方法来实现。我们注意剑，迄今为JL报道的CdS薄膜大多是以沉积在 玻片衬底上的为主。因此，为了探讨使用不同利底平¨制各方法对CdS沉积效果的影响，我们分别采用 膜进行了结构与性能的测试。结果表明：在CBD法中，由于衬底的表面粗糙程度不同，对CdS薄膜的 吸附效果差异较大．其中以晟粗糙的SnO，玻片衬底，效果壤住．沉积膜最均匀密实，其次为玻、ITO 玻片。值得一提的是，沉积在ITO玻片上的CdS膜多蛩^方相，而沉积在玻片上的CdS膜多呈正方相； 然而，采用真空蒸发法制备的CdS薄膜，无论衬底是踱片，还是ITO坡片，其沉淀相均为六方相。 1．化学池沉积法(CBD) 一CdS 1)，膜厚难以控制．且膜的性质难以保证。冈此，役法控制Cd2+、S2一的分解生成，即是本 9。具体反应式如F： NHJ+Hlo_+NH：+OH+ c矿+4NH。_cd州H，)：’ (NH，)，cs+OH‘一+CH，N。+H，O+Hs‘ HS‘+OH‘_S“+HIO Cd(NH，)：++s”_+cds‘+4NH，t 1．2试验方法 1．2．2衬底 分别采用玻片、IT0玻片、Sn0。玻片3种衬底沉积CdS薄膜。所有衬底均经过去油污、击离子水 漂洗和超声振荡等步骤完rata洗过程。 1．2．2成膜溶液 0．02m。l几a为使成膜性好，反廊温度控制在80。C2 0．4m。1儿，(NII0．15mol／L，NH L，Nll，H 2)2CS 4C1 20 左右。 1．2．3反应装置 102 ／ 分子相互碰撞的机会大大减少，从而使蒸发的蒸汽分子平均自由程大大增加。这样．具有很大能量的 热汽分子以近似直线的形式向四周发散，当遇到衬底架上的衬底时．即凝结成牢固的膜层。对II、vI 影响成膜的因素很多：残存气体、蒸发室释放的吸附气体、蒸发源的形状、源与衬底的相应位置 等。我们尽可能减少这些因素的影响，以得到高品质的CdS薄膜。值得注意的是，蒸发电压不能升得 太快，否则CdS粉末会受热不均，导致粉末喷出，玷污真空室。 2．2试验方法 测试结果见图8．曲线的吸收边陡直，表明CdS膜的遗光性良好。另外，对于CdS而言，它属于 直接禁带半导体，则以(q hv)2一hv作围9，求得其光学能隙2．45ev．此结果与图4中求出的结果一致。 豳8 CAS腆的删光谱圈 幽9 CdS腆的C曲v冉hv关景豳 2．3．3XRD测试 片村底谱图。经卡片查证-图10中的a、b中的谱峰以六方相为主。而在图5中，玻片上的沉积膜以 立方相为主．ITO玻片上的CdS则以六方相为主。 3．总结 通过综合比较咀上两种制各方法，我们认识剖化学池沉积法较为简单、成本低廉、成膜更为均匀 致密。且反应过程直观、易于控制。因此，我们最终采州此法在Sn02玻片利底上制各出优良的CdS多 晶薄膜，进而研制出CdS／CdTe／ZnTe太阳电池，其光电转换效率已选儿．6％。 参考文献 500． 2．崔海中，冯力。化学水浴法沉积CdS多品薄膜，太阳能学报．1996，17(2)．4． U．D．A．eta1．StructuralandE1ectrical 3．Hiroshi of Properties forSolar C