自组织生长InGaAS%2fGaAs量子点超晶格地研究.pdfVIP

自组织生长haGaAs／GaAs置子点超晶格的研究 庄乾东，李晋闽，潘量，曾一平，李灵霄，孔梅影，林兰英 中国科学院半导体研究所新材料部，北京，1(10083 摘要我们利用分子束外延技术自组织生长了40周期低组份lnOaAs／GaAs量子点超晶格 结构．透射电镜表明，量子点沿生长方向的分布存在着两种不同的区域：完美的垂直对准区域． 和不严格的垂直对准区域．这种沿生长方向分布的有序性与初始层量子点的分布密切相关．蠹 子点纵向序列的合并．消失与增生是量子点分布有序、均匀一致的主要机制，随着超晶格层数 的增加，量子点趋向于沿生长方向的垂直对准，量子点的尺寸与分布也趋向均匀～致．样品不 同厚度的PL谱进一步认证了这一点． 1、引言 作为量子阱概念的进一步拓宽，量子点的制备与应用正引起人们很大的兴趣…3．与 量子阱相比，量子点中的载流子在三个方向上都受到限制，具有一系列独特的性质，因此 3 理论上预言具有很好的器件应用前景o 模式原位生长量子点取得了很大的成功”’，然而，S—K模式形成的量子点的尺寸和分 布的均匀性仍然是没有解决的一大难题．这种不均匀性的存在不利于量子点相关器件性能 的进一步提高，因此，如何提高自组织生长量子点的有序性、均匀性是一个迫切需要解决 的问题，在此需要的推动下，人们对自组织生长量子点的有序性进行了广泛的研究．一个 是垂直方向上的有序性“。9。，另一个是横向排列的有序性…””3。前者是利用多层量 子点的重叠堆起，即量子点超晶格的形式形成垂直对准的量子点列阵，后者是在应变场的 横向作用和材料本身弹性模量反对称的作用下，沿某一个在(001)平面内的晶格方向出 现的横向对齐．另外，高指数面衬底表面上由于自然沟道的存在，也可以获得很好的有序 性和均匀性． 实际上，在很多情况下，器件的具体应用常需要多层量子点结构，例如，利用多层结 构来增加光的吸收…～，因此，深入研究多层燕子点结构的有序性和均匀性具有更重要的 1”，InAIAs／AIGaAs“8 已有的研究表明”3。’，这一体系具有很好的性能，为了进～步深人理解这一体系MBE 多层量子点的生长机制，以制备具有器件应用水平的量子点超晶格结构，我们开展了本文 的工作． 2、实验方法 样品用Riber*32P MBE系统在(00I)GaAs半绝缘衬底上生长．首先生长1．2p．m的 Gabs缓冲层，生长温度为580。C，生长速率为1 超晶格结构，InGaA．s层的厚度为4．0n耽In含量为0．32，GaAs层的厚度为22．0nm,整个超 8 晶格结构在500。C温度下生长，生长速率控制在0pan／h，最后生长1．0law_的GaAs帽 层，生长条件与缓冲层相同．在生长过程中，利用高能电子衍射(RHEED)原位监测量子 点的形成． 的分布和形貌，利用双晶衍射的模拟确定了样品InOaAs的In含量和各层的厚度．另外，将 样品分别腐蚀至0．8岫1和0．5pm以观察不同厚度下的光荧光(PL)，PL测试的激光光 源为Ar离子激光器514．511111谱线，以InSb探测器接j15【 3、实验结果与讨论 图l是样品的侧面XTEM形貌图．应变引起的黑白对比清楚的表明了各层量子点的形 成和分布，各层量子点沿生长方向呈现出很好的垂直对准．说明MBE技术可以制备沿生 长方向有穿的低组份InGaAs／GaAs量子点超品格结构．进一步的观察发现，各层量子点沿 生长发向的有序性存在着两种不同的区域：部分区域内各层量子点沿生长方向呈现完美的 垂直对准，而在另一部分区域内各层量子点沿生长方向的垂直对准并不严格，量子点纵向 序列不仅存在着弯曲、合并。而且还有序列的消失和增生，一个明显的特征是，随着量子 点超品格层数的增加，经过量子点纵向序列的相互作用，各层量子点趋向垂直对准，侧向 尺寸和分布也趋于一致，接近垂直对准完美的区域． 图1样品的侧面透射电镜像 量子点生长方向上的垂直对准是量子