HgCdTe分子束外延衬底温度的辐射的研究.pdfVIP

HgOdTe分子束外延衬底温度的辐射研究 王善力塑艳于海芳乔惰敏杨建荣俺力 一=虽科学莲上l每技术物理研究所、#导体薄膜材料研究中心红外物理国家重点实验室) 掳要HgCdTet,4BE生长的温艘稳定性r寸二Ⅵ口的品体碴萤越着重显的作用。岍宄irl果丧胡：对于HgCdTe}，狂 殂十f：耐使得柯料的JJ骚收系教：殳生变化，封辩的麓射￡隹生变化，碍。瓜表画罐耵量小斟：通过汁算?一!．。。口 渡段的辎射量变化发啦，币同组分音专P．gCdTe柑科，捌温位搿剖的；矗度凄按照过几个振薪嚣趋于稳定，迭要稳 定所需饔的时间髓HgcdTe的组分不耐丽币嗣，1、通分IlgCdre的涅艘I毒垃振荡．话崩较小，矧明硝{之一氆，选； 稳定温度的时间比较礁。莰们干|俑红外瑶甜震《温的方法获捋作品曩面温腹的缓曲垃小i小于=i℃)．竞皂运} J’H“JTe生受温度的控制星求，筷撂1‘较好酌晶体礓量． 一、引言 对}_fgCdTe她E生＆的控匍．完全是通过控制Hg、id。Fe、Te源炉以及对底的温度来实现宣匀． 这些温度的稳定性对_了二ⅥcT的组舒和品体质蜒起着重要的作州，持别是村底韵温度造个i＆碓整 剖的参数，对底温度政变．原子的粘酣系数蕊Z故变，埂得材蚪的化学配比必然发生变化， HgI=dTe的组分就会波动．遗成材料的纵向组分不均匀。另外．生长的初始阶段．温度的变化芽 晶l奉质繁也会产生艰犬的影响。 因此，HgCd3e的衬霞温度是个重要的生长控制参数。我”：利 翔辐射原理对红外辐射测温仪测得的温度进i：：研究．力图找到温度的变化规律，提高控温能 力。 二、原理： 红外辐射测温仪通过测聋表面纳辐射餐来确定；器壁，物体嵌面辐射鼙M、韵大小与表面温翌 ?以及丧面发射辜￡有关，如餐忽磷表面形啦肘发射率构影响．酉： 7 ■ w。(即=jW(T，五}占．(，．五)以 (3j n 萁亭wfT，埘是砦朗克黑体辐射出射度，瓢，0塑笆发射翌。淑据隧精守超以及Kirchhoff定律虿 ￡1tT，^)：Ⅱ(T，九)， 其串a(T，x)为材抖的哑收军，材料的发财奎g可以从F式得出 jW(T．“)占。(丁．五)m 日n=卫__———— (4) J职t五m 0 害饵冀 时；’：的结啕多器芷生兰串通生量对坷的不断_趸化，导致：’笺霄重，戈洋n^的辐射髓茜溃 弋再生二j，j嗣发主娈·乞，：含童迁二建整钮皇．：：蛊’{4}t_：t、匹三实孑刊刈芝卟璃r拼划曩{寸辩表 J加i趣；f底以薄摸洋品 面的温夏jr，：{l!【|得亓勺塥{j圣1l乏。!．式爱t翦iI录，丘对：fj只蚕置j磊tm 幸透￡部分辐射M+的蹙％，磐： t6， ．L，ITl：f．k，(71．A)r(T、m以， J T(j i，为洋i}：的透过置，透迂搴和暇u_翌书}卜萍可苌刮每罢光尊璋摸二二涉砸：车的方法“得出。 上述之j 5)t6)式全面：Ⅺ丧述了生K芝码甲洋品{芏下同温夏。芝外镉豺的变化情况。 三、结果与讨论 ’CdTe／GaAs表面辐射置的变纯 兰f；；lAs i、!戚被控制在某一温度的情 …r—————————一———— 3A悖 gr。州h瞎le 280c ：3嘟： T删2 讨、粤全发生变化。龟300℃的生氏温度 l，m；