InP基上InAs纳米结构构型地研究.pdfVIP

InP基上lnAs纳米结构构型的研究 赵风瑷徐波金鹏王占国 (中园科学院半导体所材料科学重点实验室北京100083) 摘要：峰文主蔓从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力选两方面总节了lnP堇上In．As蚺米结构产生不同构型的原因喁 关键词：lnP基，纳米结构．量子点。量子线 采用晶格失配所产生的应力(即S-K模式)生长应变自组装量子点、量子线早已成 为人们的研究熟点。这主要是因为量子点、线会产生量子限制效应，可用于光电子器件 的设计，例如，激光器或光电探测器。人们对高应变系统lnAs／GaAs(晶格失配7％) 无论在实验上还是理论上都进行了深入的研究，然而这个系统的量子点激光器所产生的 p um左右的长波长 波长大约在l m，而|rip基上的InAs量子点，有望制成波长在1．5 激光器．主要应用于现在正蓬勃发展的光纤通信事业。然而．在这种低应变系统中 (1nAs／InP晶格失配3％)自组装生长过程比较复杂。在lnP基上，人们已经观察到量 子点．量子点的加长结构，甚至量子线。同样的结构在GaAs／GaP系统(晶格失配3％) 中也观察到了。一些早期的相关研究表明：沿单～方向的表面租糙化是由于在金属有机 物分子柬外延过程中，同质外延生长lap的各向异性动力学造成的。这个结论也被用于 解释IaP基上InAs纳米结构的不同构型。近几年的部分研究表明：被吸附原子沿不同 晶格方向的扩散各向异性是形成lnAs／lnP不同纳米结构的主要原因．而这种扩散各向异 性是由了二生长条件不同造成的，主要包括两个方面：一、生长过程中的动力学参数，如， 衬底温度，生长速率，V／llI束流比，不同的生长设备等。李含轩等人在lnAlAs缓冲层 ·200· m／h，衬底温度为500摄氏度时得到了InAs重子线 上生长lnAs。生长速率为0．2 s．F礤帕，A．Po劬et。J．A．蹦dlo和S．Yoon等人在较慢的生长速率下得到了量子点结构· 高的生长速率使得吸附原子在表面的迁移时间短，以至形成加长结构【】·L．Gon2alcz等 人研究了用不同的生长设备生长的JIlP缓冲层对InAs形貌的影响·他们在生长缓冲层 子线。他们解释为用MBE生长的InP缓冲层形成了(2·4)表面再构，再构袭面的fl·lo] 方向是决遮扩散方向．因此他们得出量子点的形成是由于缓冲层的不对称性没有发展完 全的缘故．以上均可以归结为物理因素的髟响．第二方面可以简化为化学因素的影响· J．Bmult等研究了InP基上不同的缓冲层对其上生长的InAs纳米结构的影响。他们在IBP 冲层沿【1．10】方向形成了大丽平滑的平台，InAIAs缓冲层表面比较粗糙，沿fl-lO】方向的 生长各向异性不是很明显。实验表明：长于InOaAs上的InAs形成量子线，长于lnAIAs 上的lnAs形成量子点，长于InP上的InAs形成加长的量子点。当把沉积的InAs量与实 际形成的InAs纳米结构总量进行对比时发现，InP缓冲层上形成的的InAs纳米结构总 (O．p1)。这表明在InAs纳米结构形成的过程中缓冲屡参与了运作，这样由缓冲层和应 变覆盖层所形成的化台物通过熟知的2D／3D的表面构型的转变或经由Ⅲ或V族元素在 它们各自的亚晶格上的化学交换来弛豫它们的过剩能量。后一种情况已在理论土提出， ·201· 并经过了实验的验证。例如， InAs／6aAs系统中，在沉积很少量InAs的情况下，就发 现了InGeAs表面合金层。在如InAs／InP这样晶格失配较小的系统中，化学弛豫模型就 更不应该被忽略了。化学弛豫模型的关键是Ⅲ一V族合金的不稳定性，。这是由于它们的 正混合焓导致的：AH．=x(卜x)o，Q是反映在形成伪二元台金(AB)。(Ac)n中，AB和 AC键扭曲时所产生的过剩能。若6lL足够小(Q或x小)则系统可以先于生长模式的变 化在覆盖层与缓冲层之间产生一种界面问的合金以弛豫总体的能量。InAsP(o 相比之下就容易形成(InAs)，(InP)。纳米结构．另外，在InAs／InP系统中x较小(As／P 的新相InAsP与InAs相比，引入更小的应力，所以InAs／InP上有较大尺寸的纳米结构． In的表面偏析形成了更多的成核位