LEC技术生长3inch掺Si+GaAs单晶地研究.pdfVIP

4 第6卷第4期 功能材料与器件学报 V01．6．No OF MATERIALSAND Dec2000 2000年】2月 JOURNALFUNCTIONAL DEVlCES 文章编号：1007—4252(2000)04—0312—04 LEC技术生长3inch掺SiGaAs单晶的研究 赖占平，齐德格，高瑞良，杜庚娜，刘晏凤，周春锋，高峰 (信息产业部电子第四十六研究所， 天津300220) 摘要：采用高压LEC工艺生长3inch掺SiGaAs单晶，掺杂浓度大于1×10“／cm3，晶 体位错密度小于1×104／cm2。实验发现，采用PBN坩蜗和使用水含量较高的氧化硼 做覆盖剂，固液交界面处均会产生浮渣，造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算 值的4倍以上。 关键词：GaAs；单晶；掺杂；LEC 中图分类号：0782文献标识码：A 1 引言 GaAs材料的二个主要应用领域是微波器件和光电器件，相对应的传统GaAs晶体生长工 艺也有二个：液封切克劳斯基工艺(LEC)和水平布里奇曼工艺(HB)。由于二种生长工艺本身 x GaAs晶体位锗密度小于1 的差别，LEC单晶和HB单晶的位错密度相差较大，通常LEC 105／cm2，而HBGaAs单晶的位错密度一般可小于5×10’／cml，甚至小于1×10’／cm。，直至无 位错(500／cm2)。由于光电器件为少子器件，而缺陷可加速少数载流子复台，进而影响发光 教率，所以人们长期以来主要利用位错密度较低的HBGaAs材料作为光电器件衬底，LEC单 晶则在多子器件的微波领域有着广泛的应用。但HB单晶外形为“D”形，与器件工艺不配套， 割成圆片，损失较大；再有HB晶体的直径放大有一定困难，与器件工艺逐步大尺寸化，降低成 本的趋势不相符；还有，HB单晶100)方向生长难度较大，一般进行11l方向生长，再斜 切成100晶片，这样，由于杂质分凝的影响，整个晶片的杂质分布及电学性能偏差较大。显 然若能使用LECGaAs材料作为光电器件衬底，则可避免以上影响。实验发现，对于不同的光 电器件，对衬底的位错密度要求是不同的。对于大功率激光器(LD)来说，尽可能低乃至无位 错的衬底是必要的，而对于一般发光管(LED)而言，GaAs衬底的位错密度只要小于1×104／ cm2，则不会对发光效率产生大的影响，是可用的。即使以提供光电器件用低位错GaAs材料 著称的美国AXT公司，其提供做LED的衬底，位错密度也是小于l×104／cm2，而这样一个指 标对于LECGaAs单晶是有可能实现的。 通常LEC工艺生长微波器件用的GaAs衬底，是非掺杂的半绝缘材料，光电器件用衬底， 则需掺杂。掺杂至少有二个目的，一是提供光电器件直接在村底上做欧姆接触所需的高浓度， 收稿日期：2000—07—24；修订日期：2000一∞一3D 作者简介：赖占平(1964一)，男，硕士，高级工程师 4期 赖占平等：LEC技术生长3inch掺SiGaAs单晶韵研究 二是通过杂质硬化起到降低位错的作用。在目前光电器件衬底采用较多的n型GaAs材料 里，常规的掺杂元素为Te和Si。LEC工艺，掺杂Te相对较容易，而掺杂si难度大一些，但实 LEC 验发现，Te的杂质硬化效果比si小得多，掺TeGaAs单晶的位错密度与非掺杂单晶接近， 3inch单晶做到小于1×104／cm2难度很大，所以我们选择了LECGaAs晶体的si掺杂进行研 究。 2实验 中原位合成后进行单晶生长。投料量约为3．2kg，籽晶方向100。坩埚分别试用了石英坩 埚和裂解氮化硼(PBN)坩埚，晶体生长结束后，头尾切割进行电学参数和EPD的测试。 3讨论 3．I 坩埚对LEC掺SiGaAs晶体生长的影响 在LEC工艺的早期，人们