Ge-SiO-%2c2-薄膜的发光的研究.pdfVIP

Ge-SiO：薄膜的发光研究‘ 叶春暖1，汤乃云1，董业民3，昊雪梅1，诸葛兰剑2，余．跃辉，，姚伟国， (1．苏州大学物理系．江苏苏州215006；2．苏州大学分析羽试中心，江苏苏州215006 3．中目科学院上海冶金所离子柬开放实验窒，上海200020) 摘要，采用射囊磁拉藏射技术制参7Oe-SJO，薄纯石英靶制备了不合Oe的Si岛薄膜样品和膏搿·sjq 膜-在N，气氛下进行了不冉沮度的退戈处理，分析 薄膜掸品． 了样品在室盛下的光致炭光(PL)特性．甘薄蕨的 K 采用Rig^b．D／Max-3C型x射线衍射仪(cu 站构进行了袁征．通过XRD．)口s、FFIR谱分析说 口射线。^—o_15406吼)对样品进行X射线新射∞) 明样品的发光特性与其持构相对应，394nm的发光分析，用P埘-550型光电子能谱仪(bigK。射线，h 是由GeO缺陷引起的，580rim的生光与SiO．(x2)v=1253．6eV)进行x射线光电子帕谱。