用约束刻蚀剂层技术对铜进行微区电化学加工的研究.pdfVIP

压电与声光 2001年增刊 文章编号：1004．2474(2001)SO．0070-03 用约束刻蚀剂层技术对铜进行 微区电化学：jn-v研究 蒋利民1，田中群1，孙建军1，黄海苟。，刘品宽2，孙立宁2，田昭武‘ f1．厦门丈学化学系，周体表面物理化学嗣家囊点实验室，厦门361005；2哈尔滨工业大学机器A研究所，晴尔滨150001) 摘要：蛤出了一个用约束刻蚀荆层技术对金属铜进行微区电化学刺蚀的电化学体系．井考查了约束荆的效果以及 电流密度对被刺蚀区域显微姑构的影响．结果表明，所用约束荆对扩散层有较好的约束作用；在低电流密度下刺蚀 时会产生晶界优先腐蚀；一个能产生各向同性刺蚀的电流密度被确定．用AFM对孔深进行了表征． 关键词：约束刺蚀剂层技术；微加工；电化学刺蚀 中图分类号：TN405 文献标识码：^ V TheElectrochemical of MicromachiningCopper withConfinedEtchant LayerTechnique JIANG Li—minl，TIANZhong—qun‘，SUNJiang-jun’，HUANG Hai．goul。 L1U Zhao．wu‘ Pin．kuan2，SUN Li．nin92，TIAN The ofSolid (1 StateKeyLaboratoryChem ofChem，Xiamen 361005．China： ofPhys Surfaces，Dcpt University,Xiamen 2 TheInstitute Harbin ofRobots，HarbinInstitute150001，China) ofTechnologM Abstract：Anelectrochemicalwasusedforthe of withconfinedetchant system micromachiningcopper layertechnique effectsof andcurrent onthe structurewere (CELT)The characterized scavenger density micromachinlnginvestigated．and AFMThe results thatthe hasremarkableactiononthethicknessofdiffusionofetchant． by suggest scavenger confining layer Thelow current leadsto current for etching density crystalboundaryetchingpreferentially．Thedensity