基于硅衬底片上螺旋电感地研究.pdfVIP

2002 海峡两岸三地无线科技研讨会论文集 上海大学学报( 自然科学版) 第8 卷 增刊 2002 年10 月 Research of On-Chip Spiral Inductor on Silicon DENG Yun, WANG Wen-qi, WU Bin, YUE Xi-cheng School of Communication and Information Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China Abstract: In this paper, the physical models and loss mechanism of spiral inductors on silicon at the modern standard CMOS process are discussed and a simple set of rules for the design of integrated inductors is used to study the tradeoffs between the silicon area consumed,f 0 , Q. At last, a spiral inductor is designed and simulated. Key words: RF circuit; spiral inductor; CMOS 基于硅衬底片上螺旋电感的研究 邓贇, 王文骐, 吴宾, 岳喜成 上海大学 通信与信息工程学院 上海 200072 摘要:本文探讨了标准 CMOS 工艺条件下片上螺旋电感的物理模型和各种损耗机制 采用了若干简化的规则来设计电感的 尺寸 从而在硅片的面积 自谐振频率和品质因子之间找到一种较好的平衡,并对应用在2.4 GHz 低噪声放大器模块中的片 上螺旋电感进行了模拟仿真 获得较高的Q 值 关键词:CMOS; 射频集成电路(RFIC); 片上螺旋电感 1 引 言 由于无线射频集成电路低成本 低功耗 低噪声和低驱动电压的要求 需要集成越来越多的无源元 [1] 件 其中集成电感的使用成为限制低噪声放大器 压控振荡器等射频电路模块性能的主要瓶颈之一 因 此在硅衬底上设计和优化电感显得尤为重要 自从在硅衬底上集成平面螺旋电感的概念被引入后 文献中出现了很多高性能的片上电感 这首先 得益于工艺技术的进步 这些特殊的工艺包括 Ashby 等人采用更好导电性的金属以减少电感的电阻损耗 [2] 和采用高阻抗的硅衬底来减少电感的寄生和耦合效应 Merreill 等人利用多层金属串连或并联以减少电 [3] [4] 阻损耗和减少电感的面积 Chang 等人则将电感下面的衬底刻蚀掉以消除衬底效应 但是由于这些特 殊的工艺技术和标准CMOS 工艺不兼容 使得它们的成本过高 不利于制作 本文从片上螺旋电感的模型出发 分析和比较了各种损耗机制 通过运用若干简化的设计规则对电 感尺寸进行优化从而在标准CMOS 工艺下设计出较高Q 值的片上螺旋电感 2 片上螺旋电感模型和品质因子 2.1 片上螺旋电感模型 目前广泛使用的片上螺旋电感是方行螺旋 这是因为它易于布线 因此本文讨论的也是方形螺旋电 感 但是为了提高电路的性能 有些设计者会采用较难制作的超过四边形的多边形电感来提高Q 值 为了使电感的设计变得方便 人们在深入了解了电感的各种损耗机制后 提出了各种电感的集中参 [5] 数模型 图 1 是其中广泛接受的一种 该模型中的寄生电阻和电容具有简单直观的物理表达式 特别是 223 该模型解释了在平面导体中的涡流效应 螺旋和中心抽头的交叉电