宽禁带半导体材料和纳米材料低温光学性质研究.pdfVIP

32 一 丝垒窒竺里塞些兰查叁些 一 B一03 宽禁带半导体材料及纳米材料低温光学性质研究 万寿科孙学浩 王占国 (中国科学皖半导体研究所材料科学实验室，北京l(X)083) 摘要：我们建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL测试的系统。陵系统剐 8K下进行 MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长高磷(P)组份的GaNhL三元合金(最高x=20％)，在4 143eV)红移 了PL谱测量。发现随三元合金中磷(P)组份的增加，CaNl-xE的PL峰(3．304ev．3．378eV．3 7cm3．进而在1700。C超高温 减小。对掺N的6H-siC单晶体在20kv高压下离子注入B(硼)，其浓度为101 下进行热处理获得p型SiC样品，在4．76～130K进行变温PL谱测量，其结果我们分析为A，B，C峰是带 边峰。D峰为与硼受主有关的峰。在130K以下，随温度降低A，B，C峰的能量和幅度而渐次地增强，符合 半导体光致发光规律。其次．对掺不同杂质例如：in(锰)、H“铪)、Er(饵)的硅酸盐纳米材料进行了变温 PL谱测量，在蓝、绿光波段获得极强的发光。此外，通过以上三种类型样品的测量结果，表明该PL测试 系统具有实用、精确、快捷等特点。 关键词：GaNl．z也三元台金；碳化硅；光致发光硅酸掣米材料；红移 ， l 引 言 近期，由于MOCVD、MBE等生长技术的突破性进展， 48“ ^=哜 ¨ 使得GaN基的Ⅲ．V族氮化物、碳化硅外延薄膜的光学电 !j：’11*6““9 3二”。I 学性质得到显著的改善，致使宽蔡带半导体的光电器件 得到长足的发展。诸如InGaAs／GaN异质结及CaNPN结 ： mr驯。。 由蓝光到紫光波长的大功率光电=极管(LED)的研究成 ． 功，蓝光激光器(LD)和GaN／6H．SiC紫光控测器的问世。 棚／眭 随着纳米材料的近数年来的突飞猛进的发展，在蓝、绿光 。…)4 8k 波段发光的纳米材料也在欲与半导体发光材料进行激烈 的竞争。我们最近测量的掺Mn，Hf，Er的硅酸盐纳米材 ． (，“Nl，3G47a8N．．v 料发现有的发光强度超过或接近某些半导体材料。我们 该套宽禁半导体材料PL低温变温测试系统也十分适用 ” n^-， ii／、 于发蓝、绿波长光的纳米材料的凡谱分析研究。 ：∥＼＼， 48K 2 GaNl-xP。三元合金的