用于光刻高分辨力离轴掩模研究.pdfVIP

湖南一长沙 用于光刻的高分辨力离轴掩模研究’ 罗先刚，姚汉民。周崇謇，冯伯儒，陈旭南 (中科院光电所微细加工光学技术国家实验，成都610209) 摘要：本研究中，将离轴照明与相移掩模技术结合起来，在掩模上同时窭现两种劝能，可较走程 度提高光刻分辨力。实验表明，在数值孔径0．42，i线臻光波长下，可将光刺分辨力从0，8微 米提高到0．5微米。 关键词：高轴照明；相移掩模；光刻分辨力 1 引言 提高光刻分辨力的研究是目前国际光刻领域研究热点。离轴照明、相移掩模和光瞳滤渡 技术得到了广泛研究，其中离轴照明[1J和相移掩模[2]在光刻机得到了初步应用。为了拓展光 学光刻的极限，目前出现了将这些技术结合起来的趋势。在本研究中，我们设计了一种新型掩 模。 2原理 光刻成像是一个部分相干成像过程，主要理论基础是Hopkins公式，在图2所示的成像系 统中，先用部分相干光传递理论分析光从聚光镜到掩模图形面的传递过程，然后甩Hopkins公 式计算掩图形到硅片的成像过程。具体推导另文给出oJ。硅片光强分布为： mrr广rn^ 一 ×于+(^^907，fb7，gb’)亍(，o’，go’，fb’，＆’；f07，go’，^’，岛’) 其中，于{}表示Fourier变换。 7) 于(，0，go，fb，舶；fo’，go’，^’，gb =Ⅱdfdg．1。(，，g)蠢(，一(，0+fD，g一(g。+gD) 7)) ×露。(，一(f07+^’)，g～(go’+gb ．基金项目：国家自然科学基金(6987604)赍助项目。 第十届全国电子束离子束光子束学术年会 ×exp{2i，r2D[^一^’)，十(gb一岛7)g]} 其中，霞是光瞳函数，J。是光瞳面内2级光源的像。利用上式即可求得光强分布，分析对 比度，焦深关系。 3掩模结构 将掩模分成两部分，上表面制作～层微浮雕，下表面为衰减掩模图形。具体制作过程和图 形分布根据要求面定。本研究中，主要针对线条图形设计了如图2所示的掩模。 4实验系统 实验系统如图2所示，数值孔径为0．42，工作波长为365纳米，实用分辨力为0．8微米。 (1～7为照明系统结构，8,9分别为新型掩模版的上、下表面，10为成像物镜系统，1l为硅片) 图1实验系统 n。，、。^，／、．：■ 7 |’j f；，：i’i 色r—曼r。鼍广已r1曼r 掩模 掩模上表面 图2持模结构 ——339—— 湖南·长沙 5结果 对比度焦深曲线分别为图3、图4。显然，对比度和焦探均得到了较大改善。 DOF(11．m) CW(Im) 圈3对比度曲线 图4焦探曲线 5霞 图5实验结果 6结语 由于新型掩模具有离轴照明和相移掩模的特性，可较大程度提高实用光刻分辨力。在随 后的研究中，我们将深入研究孔，接点以及复杂图形的掩模设计。 参考文献： [1]罗先刚．部分相干光倾斜照明研究．微细技工牧术，1997(4)：55． M．Dwavefront 50nmt0100 [2)Leven．∞n englneermgfrom [3】罗光刚，陈旭南，她汉民等