用于HEMT应变In-%2cx-Ga-%2c1-x-As%2fInAlAs%2fInP异质结MBE生长研究.pdfVIP

异质结的MBE生长研究 张文俊崔立奇武—宾陈昊阎发旺 (信息产业部电子十三所050051) 应变概念弄口结构的提出，极太地扩大了异质结的组合范围和种类，丰富了“能带剪 裁”的模式，开发了许多异质结功能材料．应变异质结还改善了j槲的电学输运I陛能 提高了载流子的迁移率。同时由于应变异质结增大了界面的导带：荐连续度(AEc)，增 强了量子限制效应，也提高了2DEG的密度。因此应变结构广泛地用于并质结材料 成为当前异质结树荆研究的热门课题。 异质结的生长研究。 首先，在InP村底E进行单层晶格匹配的1110。Ga04，as和k女铀。As的生长，通过 双品衍射和电争陛能的测量，优选MBE工艺条件，实现了单层材料的优质生长：Aa／a x 2 1 h】0 在匹配结构材料生长的基础上，选择沟道Ir牺．。As的In的组分K印，60,0．65,0．70 对沟道n_lIc,a．。As临界厚度的影响。在生长过程中由HEED图样的，观察，确定两维平面 生长向三雏生长变迁的过渡时间，根据生长速度计算出此时的生长厚度，研究)≮同 hG岛。As生长临界微的关系，给出设定的x。，沟道地Ga}。舡可选取的最大厚度范 围。(2)沟道厚度对迁移率p和2DEG密度N5的影响．在临界厚度范围内，生长具有 不同厚度的In,吼。舡沟道样品，通过HAIL测量，硕究沟道厚度对“和M影响，为 沟道厚度的最佳设计提供量化数据。(3)hl组分瓦对材料电学性能的影响．沟道 h,Ga，os的K愈大，即应变强度愈强，应变对提高材料电学性能的贡献愈大．但是， 高的In组分使得由弹陛形变调整异质结面失自叫主错的能力减弱，结果会由于形成大量 失配位错反而降低了迁移率。同时萍|!圭形变调整失配位错的能力同沟道址吼os厚度 密切相关．强愈大，能够实现无往错生长沟道蛾os的临界厚度愈小，这样由于容 纳乖—输运电子的空间变小会降憾材料的电学性能．因此组分)≮有个最佳值，即既魔玢 发挥应变对提高材料电学性能的作用，又能确保生长足够的沟道空间，用于容纳和输 运电子。(4)隔离层(sPAcER)对材料电学性能的影响。减小隔离层厚度，有助于M 提高，但这势必以牺牲材料的迁移率“为代价。这是由于隔离层变薄增大了势垒层中 离化施i对电子库仑作用力的缘故。考虑到材料的电学参数对器件性能的贡献，最终 是以M“乘积的大小度量的，因此隔离层厚度的选取必须兼顾Ns和“进行折衰设计。 综合E述实验研究，选取K1_铂．70，设计了HEMT材料的结构参数，生长了应变异 x1016／VS；la G11]2／Vs，NF212×101brr2，O也u)m；=2．49 77×1016，vS。 O也“k=9 尚需指出，我们目前的研究工作仅限于材料电学性能同材料的结构参数及工艺条 件的研究，下一步的工作将是结合器件的应用开展研究，旨在最终提供器件实用性能 的结构丰j料。 2l