准一维纳米结构电子显微学研究.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc 17(5)l493～4941998正 493 准一维纳米结构的电子显微学研究 白志刚张洪洲 丁或杭青岭俞大鹏冯孙齐 (北京大学电子光学及电子显微镜实验室，北京100871) (北京大学物理系介观物理国家重点实验室，北京100871) 出来。由于其独特的结构特性和因此而具有的不同于体材料的新颖的物理性质，这些准一维纳米 材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，因而受到人们的广泛研究和关注。 显微结构、缺陷和生长机理等进行了研究。 一种暗黄色海绵状产物，该产物即为硅纳米线。我们发现，用激光蒸发或简单的物理升华法，都能 得到硅纳米线，两种情况下产物的形态、结构完全相同；而且，这种方法具有很好的可重复性。图 1为典型的硅纳米线低倍透射电子显微像。由图中可见，硅纳米线为表面光滑的准一维结构，且 结果显示，硅纳米线的全部衍射峰与多晶硅粉末不仅位置完全相同，相对强度也完全一致。这进 一步说明硅纳米线与大块硅结构相同。根据x射线衍射最强峰计算，硅纳米线的晶格常数较大 块硅有些轻微膨胀(～0．4％)。 高分辨透射电镜分析(HREM)给出硅纳米线更多的结构细节。图2为单根硅纳米线的 在硅纳米线的外面有一层厚2—3nm的非晶层，估计来源于因暴露空气而导致的表面氧化，这层 非晶可用稀HF溶液溶掉。对大量硅纳米线的HREM观察结果的统计表明，硅纳米线的一般生 向有所不同。另外，HREM分析还显示，在硅纳米线中存在大量的层错、微孪晶和小角晶界等结 构缺陷。这些结构缺陷被认为与硅纳米线的成核、生长及其形貌有密切的关系“]。以上这些证据 使我们认为，硅纳米线是按一种不同于VLS模型的机制生长；在这种机制中，结构缺陷及原子气 团的定向运动对硅纳米线的一维择优生长起重要作用。 利用同样的物理蒸发的方法，我们还制备出了GeO：纳米线。靶材料由高纯Ge粉 件与制备硅纳米线的相同。从宏观上看，GeOz纳米线为白色绒毛状物。图3为GeO：纳米线的低 倍透射电子显微像。值得注意的是，GeOz纳米线的纯度也极高，没有纳米颗粒和其它杂质存在。 可能来源于靶中吸附的残余气体以及系统真空不好。值得注意的是，GeO。纳米线对电子束辐照 电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc 494 17(5)；493～4941998年 极其敏感，以至于在没有冷却装置的常规样品台上观察时，GeO：纳米线迅速由晶体转变为非晶 体，无法拍摄电子衍射花样。在液氮冷却样品台上，拍摄了一些GeO：纳米线的电子衍射花样，这 些花样均为单晶电子衍射斑。经仔细研究大量电子衍射花样，确认该纳米线为六方结构的Ge0。， 子衍射花样。 米碳管、BN纳米管、BCN纳米管等一系列准一维纳米材料，并用电子显微学等手段进行了研究。 参考文献 [1]Ii]imaS．Nature，1991．364}56． [23YuDPeta1．SolidState Commun．。1998．105403． [3]YuDPeta1．Appl．Phys．Letters，1998，72(26)inpress． [4]ZbouGWeta1．Appl．Phys．Letters，1998，73(1)in press Rs，EllisW [5]Wagner C．Appl．Phys．Letters，1964，4：89． ● 图I 硅纳米线的TEM形貌像。插图为硅纳米线 图2 GeO。纳米线的TEM形貌像。插图为单根 的选区电子衍射花样。 Ge0。纳米线的[0001]带轴的电子衍射花样。 图3单根硅纳米线的HREM像，可见～维和二维的{IIi)晶格条纹