有机电致发光器件材料椭偏研究.pdfVIP

第3l卷第z2期 光子学报 V01．3lNo．Z2 2002年12胃 ACTAPHOTONICASINICA Dec．2001 有机电致发光器件材料的椭偏研究素 谢文法赵毅侯罴莹刘武墉 (嚣韩大学纂瘫光电子臻家重点实验室，长毒130023) 籀婺本文报邋7辩胃变入射角糖灌穰撵搜(Variable 在硅村雇上分别制备了以上四种薄膜，然艏我们用可变入射角椭西谪振仪射四种薄膜 进行了溅蠢，测蠢在大气串进桴，光谱范辫扶200到1000hm(或1．24劐5eV)，测量囊 度为65。、700、75。、80。，接着，用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长(光予 薄膜弱光学棠数莲波长熬变化亟教及麴线，并且从材辩吸收谱的吸收边，我们还得到 了这些材料的光学蘩带宽度． 荚键词糖匿谪振纹：走举常数；光学蔡带宽瘫 0芍|言 有机电致发光器件的研究自c．W．Tang’等入发靖了筒效、高亮度黢层结构器件 鼓来，西箕其青工兹簿荦、成本低、燕流低压驱动、并巍嚣制戎大垂蔽平扳显示等 特点翼蠡戒为当翦发光显示领域豹研究热点，为了从理论上计算或实验上提高器件的 内、外量子效攀，需要有相对准确的有机电发光器件材料的光学常数。目前，内量 子效率的简单测量2以及外量子效率的提高“方面的工作已有相关的报导，键准确的 览擐遭。 可变入射角攒圆偏振测量技术避年来得到了_r泛的应用”，我们用的是美国 J．A．Woollam 捂述豹。沈较其袍测量光学常数雏技术，糖圜德援溅量技术具鸯以下佳点： (1) 潮量了嚣个参数(朔诅d)，同对，复介嗷掌数(斌复折射攀)的实都和虚部可以 薄膜的光学常数，并从材料吸收谱静疆彀迭，我们还褥到了这些聿|萃季瓣必警禁嚣塞 缱。 l实验 个硅村底上．硅村底的光学常数在生长薄膜之前已经遥测蠢．椭圆偏振刹量一般是 收稿日期：2002—06～29 +国家自然科学莲金(编号NoNo资劫 94 光 子 学 报 31卷 用两个参数(f匍4)来表示的 D=竺=2P。‘‘一t1=tanV／efA R ‘ 偏参数(明勃)数据测量是用美国J．A．Woollam 拟合以减小仪器带来的误差． 2结果及分析讨论 对于一个给定的样品，数据拟合的一般过程的细节在文献中已有报道”，在此 我们只作一简单描述，首先，必须建立一个适合样品的光学模型，然后对模型的参 数(通常是膜层的厚度和光学常数)进行调整，使得拟合产生的数据和实验数据符 合得最好．均方差(MSE)被用于衡量产生数据和实验数据之间的差别，拟合的过 程就是寻找最小的MSE的过程。膜层的厚度和光学常数将从最好的拟合结果(最小 的MSE)得到。 型对其进行拟合： g(hv)_毛“乇““+莩币孟矗而 其中，‰是额外补偿值，对于第七个振子，“k是振幅，五是中心能量，最是每个振 子的宽度，^v是光子能量． 系统椭偏数据(蜘秘)．图2是CuPc薄膜，硅衬底系统的复介电常数的实部和虚部． 图I CuPe薄膜，硅村底系统的楠偏数据(朔锄) Rm日∞q忡O f‰趾g㈣ 图2cI|Pc薄膜腱衬底系统的复介电常数的实部和虚部 我们用L0rentzian近似的复介电常数振子模型对实验数据进行了拟合，m3是利 用4个振子的Lorentz模型拟合得到的最佳结果，MSE9．02． 图3利用4个振子的协￡z模型拟合得到的最佳结果 sl-=2．378±0．027eV；Ai=0．834±0．042，Bz0．232±0．01i．蜀=I．798±0．003； 如图4所示。 从矗2我们可知CuPc的光学禁带宽度为1．5eV，并且，CuPc在1．24到5cV的范围内， 其对红光有很大的吸收，因而不适合用于彩色有机电发光显示． 使用相同的方法我们得到了其余三种材料的光学常数随波长的变化函数，函数