有碲化锌复合背接触层碲化镉太阳电池研究.pdfVIP

有碲化锌复合背接触层的碲化镉 太阳电池研究+ 冯良桓 蔡伟 郑家贵 蔡亚平 黎兵 张静全武莉莉 朱居木邵烨周·心明 (四川大学材料科学示 成都市610064) Cu之间引入不掺杂的ZnTe作过渡层，以改进这种Lb池的结构特性和载流子收集。从实验上对三种结 1．6％。 CdTe太阳电池的转换散率。这种结构的电池经电子205计鼙站测试，转换效率己达1 关键词：碲化锌背接触层，碲化镉X阳电池 0序言 CdTe为直接能隙’#导体，其能隙宽度为i．44eV．接近丁光伏电池所要求的最佳能源。它与宽能 隙的CdS形成异质结太阳电池，有报高的理论转换效率。近十年来，CdTe多品薄膜太阳电池的研究取 个组报导已取得了高于11％的效率。人面积电池与产业的进展也很快。美国SCI发展了一种类似于近 空间升华的技术：蒸汽输运法，在7200cm2利底上沉积CdTe多品薄膜不到00秒钟。 和l高功函数金属之间加入一层重掺杂的p-edTe。本文作者之一在以前的l：作研究中研究了铜掺杂ZnTe 从10％左右提高到了12．1％(0．Icm2)，使喷涂热分解CdTe电池的效率也有大幅度提高。 我们分析了这种电池能带结构，再考虑到lnTe：Cu层中铜扩散到CdTe可能带来的不利影响，提 layer)14]。为此，本文研制 出在p-CdTe和ZnTe：Cu两层之间引入不掺杂的ZnTc怍过渡层(Buffer 响。实验结果表明，复合层的背接触能有效提高CdTe太阳Lb池的转换效率a 1．实验 反应过程为： NH】+H20—N巩‘+oH’ Cd扣+4NH3一cd(N坞矿’ (NHO,CS+oH一一C}州州,O+HS— HS一删’一S2。+Hp 2一--CdS t Cd(NH，h～S l+4NHI C泸由可溶丁水的镉盐提供。反席结束时CdS府被完全折山。适当控制反应条件，可以使最后的 ·奉谍题为圆家罩；I委“九五”攻关项目和国家白然科学皋余资助项日(批准 110 反应在样品和溶器表面进行，溶液中完全没有颗粒状的CdS。因此，反应结束后的溶液清澈透明，5】。 (2)CdTe薄膜用我们设计与制造的近空间升华系统制备。源与衬底分别用碘钨灯加热，可分别 通过调制其加热功率来改变与控制它们的温度。升华丁‘沉积过程可在氲、氯或空气中进行，气压可以 控制，预真空为10‘a乇量级。 ● I ● ● ● ㈣●^_■’_●●^●-●__J-·-_ 田1^空菇搬摹麓示●圈 ■2不用山■予摹度的2．nTe：。I■一 l，村庸2．石其■牖头a，zr山■ 的■¨■蕾颤 “伽■ 口·捌巩菽的I■麝ot舄O℃亚出 m掣hm F咄l m喇时wmmm讣 君曲■重 “■mmq№ R12 m“Ⅲ∞Ⅷ“m 1．铷bmⅪ●☆f萌∞mM缸 ∞瞄吲时日如-Zdh：Cunlm—衲