同型梯度掺杂ZnSe%2fGaAs%2fGe肖特基太阳电池探究.pdfVIP

同型梯度掺杂ZnSe／GaAs／Ge肖特基太阳电池研究 挛国昌· 0018) (河北科技大学，05 李果华 3) (石家庄铁道学院，05004 摘要： 本文研究了N”／N+／N同型梯度掺杂ZnSe／GaAs／Ge异质单晶薄膜复合 材料的结构；分析了把它用于肖特基光伏太阳电池时的工作机理及优点．在进一 步提高转换效率方面，这种太阳电池具有研究价值和应用前景。 关键词：高效太阳电池，异质缓变结，梯度掺杂，单晶薄膜复合 0．引言 提高太阳能电池的光电转换效率，对缓解能源危机，保护地球环境有重要意 义．经过不懈努力，Si、GaAs等太阳电池已发展到成熟阶段，在空间和地面得到 了广泛应用．太阳电池的效率被逐步提高，但与客观上的要求和可能相比还有较 大差距．其原因主要是： ①在材料的选用上，较重视Si、GaAs等单一半导体材料以及OaAs／Ge， InGaP／GaAs等异质结材料的研究，面对多结、多功能层复合材料的研究重视不 够，致使没有与太阳光谱达到最佳匹配状态。 ②在工艺方面，用传统方法制做的均匀掺杂的P—N结对光生电子、空穴对 的分离和收集率较低．结电场区厚约i“m左右f1】，距结电场远于扩散长度(1 um左右)的光生电子、空穴对再复合损失掉的概率极大．这对于si等间接跃迁 型材料．因其厚度达几百微米，是个不能不重视的问题． 对于太阳光谱而言，如果选用性质相近、光谱响应曲线互补的三种【2】半导 体材料制成复合材料，通过梯度掺杂形成异质缓变结电场，可克服上述困难， 使进一步提高光电转换效率成为可能． 1．复合材料结构 分析对比了IV、I]I-V和Ⅱ一Ⅵ族等各种半导体材料性质后，如表1所示， 筛选出的ZnSe／GaAs／Ge是很有希望的一组搭配．这三种半导体材料的不同掺杂 类型的组合可以形成不同特性的复合材料，其中有实用价值的一种是N”／N+／N 同型梯度掺杂肖特基结构，如图1所示． 三个功能层的厚度根据各自的光吸收系数确定【3，43，仅各需若干微米。虽 然Ge属于间接跃迁型半导体材料，但注意到其光吸收系数曲线与GaAs，ZnSe同 样陡峭，因此也仅需若于微米厚即足够．这使得光子能够透射进入内层，并使进 行薄礁式复合成为可能．再与衬底剥离技术结合，可使其具有材料省、内阻小、 填充因子大等优点． 从Ge层低掺杂浓度表面引出金属电极时用通常的欧姆接触．从ZeSe层高掺杂 河北省自然科学基金资助项目。·通讯联系人。 ——114—— 表I． 一些半导体材料的性质 厚 度 10’7 104 0” 搀杂浓度 图1．N”／N+／N同型梯度掺杂复合材料肖特基太阳电池的结构 浓度表面引出金属电议时不用通常的欧姆接触，而是直接与Au等金属接触，形成 约1．5v的肖特基接触势垒(4】。该Au层的厚度约O．1”m’不会影响光子透射进 入备功能层．在Au层上面再设置格橱电极和减反射膜． 2．工作机理 ZnSc功能层吸收高能光子，GaAs功能层吸收中能光子，Ge功能层吸收低能光 子；最上层的ZnSe层对可见光是透明晶体，有利于阳光中的中、低能光子透过它 进入第二、第三层． 它们的晶体结构都属于面心立方晶系，晶格常数a分别是5．669，5．653， 一115一 5．657A。，失配小于0．05A。，因丽能够形成良好的异质单晶复合【5】。使界面态 和复合中心数量被限制在一个尽可能小的范围内．此外，还可通过在ZnSc中掺 少表面态和界面态引起的再复合损失【7]． 它们的导电类型分别为N”／N+／N型，通过梯度掺杂形成异质缓