稀土金属Ce抛光CVD金刚石膜地研究.pdfVIP

Vol 第34卷 增刊1 稀有金属材料与工程 34，Suppl．1 2005年 6月 June2005 稀土金属Ce抛光CVD金刚石膜的研究 孙玉静，王翼虹，田 莳 (』E京航空航天大学，北京100083) 摘要：研究丁一种快速有效地抛光CVD金刚石厚膜的技术。该技术是利用化学活性很强的稀士金属铈(Ce)与金刚 石(碳)的固相化学反应，在一定的工艺条件下对金冈U-i5膜进行的快速有效的抛光。讨论了金刚石膜抛光效果的影响 因素及初步探讨了固态稀土ce抛光金刚石膜的抛光机理。此外，还对抛光前后的金刚石膜以及反应产物进行了Raman 光谱和x射线衍射谱(XRD)分析，从而初步得到了该方法抛光金刚石的抛光机理。研究表明：抛光速率和质量与抛 表面粗糙度(R。)由原来的5 关键词：稀土；Ce；抛光：CVD金刚石膜 中图法分类号：0613 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2005)$1·0826—04 1 引 言 快速抛光金刚石膜的方法——利用稀土金属ce与金 金刚石是集高硬度、化学惰性、高热导率、低热 膨胀系数、优良的抗磨性和宽范围的光学透过性等多 细研究了抛光温度、时间和加载的压力对抛光质量和 种优良性能为一体的功能材料，因此它在切削工具、 速率的影响，以期得到最佳抛光工艺。 半导体器件、核聚变窗口和红外窗口等方面具有广泛 2实验过程 的应用[1’51。自从1962年Everso|e用化学气相沉积 实验是在真空炉中进行的，以氩气作为保护气体。 (CVD)制各了第一片人工金刚膜以来1…，CVD金刚 石膜的制备和应用研究就一直受到世界各先进工业化 已知尺寸的金刚石厚膜样品被夹在两片经抛光处理后 国家的重视。然而，这些金刚石膜所具有的晶粒大小 的Ce片中间，如图1所示。金刚石膜是由中国非金 不一，表面粗糙度大的缺点限制了它们的应用，比如 用作热控制材料时热接触不良以及用作光学窗口时的 表面反射等。因此，CVD金刚石抛光是其应用方面的 关键技术，自20世纪90年代初各大学实验室、大公 除反应产物。 司研究机构在抛光机理、质量、成本、速度等方面进 行研究，发展了多种抛光技术‘”“】，但到目前为止， 同时能够满足较高的抛光速率、低的成本和较好抛光 质量金刚石膜抛光方法的研究仍然不尽如人意。因此， 为降低成本又保证被抛光后的质量，必须采用高效粗 抛和精抛相结合的方式。其中熔融的稀土抛光法被认 为是粗抛方法中最有潜力的一种。S．Jin等人利用活 图1反应装置示意图 Schematicillustrationofdiamondfilms 性稀土金属Ce和La在液态时的较大的溶碳性在 Fig．1 etchingset—up 920℃抛光了金刚石膜，抛光后的金刚石膜的垂直热 导率n可从抛光前的14W／em·℃～15W／cm·℃提高到 STA 20W／cm．℃～22W／cm·℃1131。北京科技大学的付一良等 449C型DSC分析仪获得；用JSM 人在9404C用稀土金属La抛光金刚石膜，使其表面粗察抛光前后的金刚石膜的表面形貌及厚度变化；用 收稿日期：2004．12．28 增刊1 孙玉静等：稀土金属ce抛光CVD金刚石膜的研究 ·827· RM2000型显微共焦拉曼光谱仪(A=514nm)分析反金刚石膜晶界的