MBE生长高功率半导体激光器探究.pdfVIP

MBE生长高功率半导体激光器研究 曲轶薄报学张宝顺张兴德 (长春光学精密机城学院高功率半导作激光罔家亟点实验室长春130022) 自从1962年第一台半导体激光器诞生以来，半导体激光器的应用覆盖了整 个光电予学领域，已成为当今光电予科学的核心技术。高功率半导体激光器出 于其体积小、重量轻、结构紧凑等优点，除了用来泵浦同体激光器以外，还可广 泛地应用于材料加工、测距、激光印耶0、光盘的信息处理、空间光通讯等领域。 高功率化已成为半导体激光{}i{的重要发展方向之一。分子柬外延技术是目前重 要的外延手段，特别是在材料的原予层量级制备是其它外延技术无法比拟的。 我们在MBE生长前刘衬底的制箍和选I汉进行|，细致地研究。首先衬底要 有高质量的抛光表面，其次是低的位错密度，衬底处理也是非常重要的。我们 在生长时考虑了影响材料的生长一’些主要因素。主要是1)缓冲层的设计；2)生 长温度的影响：3)V／111族束流比的影响；4)生长速率的影响；5)偏向衬底对 生长的影响等。并对材料的掺杂进行了细致地聊『究。 nI 1 GaAsfloo)偏向(i1)A方向4。(si，tq=1--2xi01…crn)，依次7_I三长GaAs 55，n+= 缓冲层0．51am(Il+=l×10”cm。j)。GaAIAs渐变缓冲层O21．tm(x=O一0 1×10“cm。3)，GaAIAs下J；R制层l3MIn(x=o 2 55—0 变波导层0 p,n(x=02、【1‘=2×1 0 07)，OaAIAs势璺层1Omn(x=o2)；GaAIAs渐 2)：GaAIAs阱10rim(x=0—0 2—0 变波导层O29in(X=o 0…cm。)；GaAIAsL限制层1．3am(x 55，P’=2×1 X X 10”c：111。)；GaAsili a．层o．2¨m(p十=110“cm‘j)；GaAs欧姆接 =O．55，P=l 触层lOnm(P+’=2—5X10till3)。生长温度为700。C。生长中问没有中断。 生长过程中讨底不停旋转，保证外延生长的均匀性。GaAs的生长速率为 5 波导层可以方便地通过线性L15[变Al源炉fn潞度得以实现。V／111族柬流比为1 左右，保持临界的As稳定的状态。 光荧光足捡i91|j劓利光学性能f10重要检测于段，一方面可以判断出材料的相 对好坏．另一方面可检测出该外赴材牛1n0发光波K是否满足要求，为后工艺的 制各提供指导性俏鉴{1：川。业型n勺GaAs／GaAIAs缝子阱激光器结构材料的室温 10K和300K光荧，t；淳测试峰值波K分别为735nm和804]lid；峰值半宽分别为 43meV和15meV。在较厚的AIGaAs限制层E生长的量子|；】f=能具有如此锐的 荧光峰．表『如了材料有较好的光学质量。 外延片典型的c—V测试㈨线显示在纵I门浓度的掺杂浓度分布十分均匀， 完全达到了设计的要求。 双晶x射线衍射测量可以评价外延材料的晶体质量、外延层之间的平整度 和计算出外延材料中的AI组分。典型的量子阱激光器材料的双晶X射线衍射曲 线显示出生长的激光器结构有理想的品格质量。利用VEGARD定律计算出波导 层和限制层的AI组分分别为o21和o．55。可以看出每个外延层的Al组分都已 经达到设计要求。 利用MBE生长出来的外延材料进行了激光器的后工艺制作，测得宽接触 条形激光器的阈值I乜流密度为350A／cm2。我们以条宽150tim，周期为10001am， 制作了cm条列阵半导体激光器，器件的连续输出功率为10W。