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si表面Hz0吸附的光电子谱研究
邢益荣吴汲安
(中崮科学院半导体研究所.表面物理国家重点实验室.北京100083)
W.朗克
(德国马普学会弗里菠-哈贝尔研究所.柏林D.14195)
Photoemission surfaces
StudyofwateradsorptionoftSi
Ji-anWu
Yi·rongXing
forSurface ofSemiconductors,
(StateLaboraIory Physics,Institute
Key
Chinese
Academy 100083)
ofSciences.Beijing
W.RallIce
dot Berlin。Germany)
(Fritz-Haher-lnstitut
H,O在Si表面上的吸附关系到si器件的制各和应用.因而是~个很重要的课题.对si(001)表面的研
究表明,H20的吸附是通过~种初态(可能是分子的物理吸附)再分解为OH+H的半离解状态.以饱和s;
表面原子的悬挂键.与氧的吸附不同,室温下H20在si(001)表面上的吸附没有破坏si表面原子的背键.
也未改变其表面原子的再构周期.本工作将把H20在si表面上吸附的研究推广到具有潜在实闱价值的高
指数晶面(1 X1010mbar.
13)和(5,5,12).实验是在光电子能谱仪中进行的.真空室的本底真空度优于l
x2再构和Si(5,5.12)
样品经过Ar+离子溅射和1550K高温退火后.利用LEED检测出si(113)表面为3
表面为2×1再构.光电子谱测量的光源采用同步辐射光,其光子能量选取50eV.得出的主要结论如F:
13)表面
型
嘣
霞
罂
擦
弼
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脚
米
幽l
的角积分光电子谱.价带顶Ev卸
6
这说明,H20在这些表面上的吸附也是OH+H形式的离解吸附. .
2.H20在si表面上的吸附系数和饱和吸附量随晶向的变化很大.图2比较了在(113)和(001)表面上的
吸附情况.对(001)表面的结果.与早先文献12‘的报道符合得很好.其特征是:一、具有恒定的吸附系数。
Z
12)表面上的吸附系数和饱和吸附量都比较小.此外,虽然都是OH+H形式的离解吸附,但其吸附过程对
于各个晶向是不一样的.对于(113),根据其吸附曲线的形状,可以认为存在两种吸附过程:一种是与(
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