Sr(NO)-%2c9-晶体生长过程中杂质分凝研究.pdfVIP

III．P6 sr(N0。)。晶体生长过程中的杂质分凝研究+ 昊立军1，李超荣1，陈万春1，2 中圈科学院物理研究所，北京603(83)信箱，lo0080，北京 2中国科学院国家微重力实验宝，100080，北京 从广义上讲，晶体生长过程中，杂质的影响是不可避免的，而晶体内杂 质的分布与晶体的品质和品体的物理化学性能密切相关。通过深入地研究杂 质对晶体生长的影响，不仅有助于控制品体的物理化学性质，而且对晶体生 长机制的研究也有很重要的意义。杂质在晶体和溶液中的分凝系数不仅和杂 质元素的大小、电荷和电负性有关，而且还与晶体生长速率、溶液的搅拌情 况以及结晶方向等因素有关1。杂质在不同晶面上分凝系数的不同，直接与 晶体的表面结构和生长机制有关。微重力提供了晶体生长的极端条件，在微 重力环境下生长的晶体中的杂质类条纹可以得到消除，因此，有可能得到组 分均匀的晶体。通过对空间与地面生长的晶体组分均匀性、结构完美性及物 理性能进行比较，可以深入地研究微重力对于晶体生长的影响。 Sr(NO：；)：晶体用降温和蒸发溶剂两种方法生长。蒸发溶剂的生长温度固 定在500c，降温生长的起始温度为40”C。到目前为止，我们在生长sr(NO；)。 晶体的体系中已分别掺入了c一+、NP、zn”、La”、Fe3+、Na+、Mn2+、 Pb”、Ba”等离子。用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP)和电子探针(EPMA) 测定晶体和溶液中杂质离子的含量。测试结果表明，在我们所试掺的众多杂 质中，除了Pb”、Ba”．其余离子在晶体和溶液中的分凝系数很小，若以 k=[N。r／N。h／[N。r／№，]漓表示，当杂质在溶液中的初始浓度为1．8m01％时， k值的变化在O．O卜O．02之间，且随着初始浓度的增加，k值降低，当杂质初 始浓度增加到10m01％时，晶体中杂质离子浓度用EPMA测试含量在101这个数 量级。这说明，这些离子很难掺入sr(NO．；)，晶体中。相反，Pb“、Ba2+两种 离子则比较容易进入Sr(NO：，)：晶体中。尤其是Ba”离子，它在晶体和溶液 问的分配系数远远大于1，具体数值与B一+在溶液中的初始浓度和生长温度 等因素有关。当溶液中Ba”的含量达到10m01％时，晶体中Ba”的含量己为 88．2m01％。对于Pb”离子，当初始溶液中含量为1．1Ⅲ01％时，EPMA测试晶体 得到的含量为6．2m01％。经过初步分析，我们认为，这种现象与以下两个因 素有关： 1)杂质硝酸盐的晶体结构。 Pb(NO．，)：，Ba(N0．，)：和sr(NO：，)：属于类质同品体，因此很容易进入晶格。 尤其是对于Ba(NO．。)，，虽然 ／ 219堋15％ (协一～+)形p 但在此，很显然结构因素占了主导地位。 2)杂质硝酸盐的溶解度 Ph(NO，)。和sr(N0，)：结构相同，但Pb”离子的分凝系数远没有B}r离 子的大。合理的解释是Pb(N0。)。在水中的溶解度远大于Ba(NO。)。。 z．1．zhmurova 2’3等人也观察到同样的现象。 同一晶体不同晶面杂质的分布有可能不同，甚至同一晶面内杂质分布也 可能不均。这种现象被Richard 1等称为secLor J．Reeder zoninE和 intrasector zoning。在我们的实验过程中发现，Pb“在{11l}方向的分凝 系数大于{100)，初步推断原因在于两个方向结构不同引起对Pb”的选择吸 收。 在生长Sr(N0：；)：晶体的过程中，我们发现，当溶液的PH值大于6．5时， zoning，但包裹物的成分有待进一步的分析。 参考文献 1．Welfried Richard Martin J．Staudt， J．Reeder， A．A．Schoonen， GeochimicaetCosmochimica 58(9)：2087—2098 Acta，1994， 2．Z．I．Zhmurova，