ＳｉＯ〈，２〉单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理ＳＥＭ研究.pdfVIP

r 电子显微学报J．Chin．ElectMicroscSoc 8(Supp)：93～94999年 93 SiO。单晶在干摩擦条件下摩擦 磨损机理的SEM研究 刘承业1 徐洮2刘维民2薛群基2 (1淮海I学院机械系，连云港222005) (2中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑开放实验室，兰州730000) 陶瓷材料具有耐高温，耐磨损，耐腐蚀等优犀性能，故在汽车工业，化学工业。高温加上技术 和航空航天等许多领域得到了越来越广泛的应用。前人对陶瓷的摩擦磨损机理进行了一些研 究“1，但与金属相比，人们对陶瓷的摩擦学行为的认谚【还不充分。本丈对SiO。单晶与si。N。陶 表面摩擦轨迹的微观结构进行了研究，以揭示s-O。单晶与Si。N。球在干摩擦条件下的摩擦磨损 机理。为进一步用表面改性的方法提高陶瓷材料的摩擦学性能奠定了基础。 结果与讨论 数在0．7～0．8之间波动。 磨损的原因，我们通过SEM对SiO：单晶表面摩擦轨道的微观结构进行了分析。图l为摩擦过程 切应力的作用，使SiO。单晶表面形成一层极薄的显微塑性变形层，在唪擦中，因塑变应力的加 剧，SiO。单晶表面碌微塑性变形层内部将产卡各种微观缺陷．如空穴，间隙原子，位错，微裂纹 等，它们削弱了单晶的强度，使SiOt尊晶表面出现微裂缝，南丁这些微裂缝很浅，也较松弛，因而 对SiO：单晶表面没有造成明显破坏，摩擦系数较低而且稳定。在此阶段中，摩擦的丰导效应是 SiO。单晶表面塑性变形层内部的塑变戍力进一步加剧，塑性变形层内的微裂缝开始扩展，由于 在塑性变形层与底材界面处，塑变应力最大，因『fii微裂缝最先在这咀聚集和横向扩展，当裂纹扩 展到一定程度后，塑性变形层开始呈片状与底材脱离(同2)，这些翘起的片状磨屑被再次划过的 球刊离底材，并在磨道中被研磨成细小的颗粒状磨屑(幽3)．这些颗粒状磨屑在牵擦轨道中起到 磨料的作用，从而进一步加剧SiO。单晶表面的密损．并使摩擦系数升高。在这一阶段，SiO：单晶 的磨损主要为塑性剪切和磨粒害损机理。第三阶段，由于SiO。单自自表面的塑性变形层被刮离底 材，特别是摩擦表面径向裂纹迅述向SiO，单d6内部扩展，并延伸到很深的次丧面r直至相瓦结 合形成裂纹封闭区，造成由断裂形成的粗糟凹坑出现(图4)，随着摩擦的继续，这些粗槽凹坑大 量出现并联成一体继续向SiO：单d自内部扩展．造成SiO：单晶丧而的严重破坏。在这‘阶段中， 基金项目：国家自然科学基金资助项目