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电子显t学报 J．Chin．Hectr．Mic∞Bc．Soc
19(4)-40l～4022000年 40l
CdSe／HgSe／CdSe量子点量子阱
(QpQW)的HREM研究
昧志番米健民 洪建明 马田斌灌蒋
- 拳信孚周舜华李齐
(^素大学抽曩不-体I：蛄构啊末童^赛_童，南京210093)
善曩蠢，—孵毽寡一纛增强．幸文中．毳l隧过对cdse／}玩se／cdse量子赢量子群棱蠢螬枸进行
腿蜀M■薪兜，并甜靠囊晨遗种异蕨井薅生长及PL谱进行分析，获得了有意义的鳍论．
腔体cdsi精米‘矗在水藩藏中加以生长[1]。其化学反应式为：
CdI++20H一+SeSO。卜·CdSe+SO，2_+H20 (1)
爱过改变Cd”、seso。2一的浓度及辫藏中pH值，对CdSe蟾米晶彻足度加以控镥，并椰人化
学誓定帮阻止CdSe纳米晶之问相互聚集．使CdSe鳙米曩敕尺爱保持在2～6mn左右．棒所■的
Cdse纳米晶水潜藏中加入}{gclz，在CdSe棱外形成一层HgSe层，其化学反应式：
(Cdse)．十nHg件·(CdSe)一。(HgSe)。+nCd抖 (2)
CdSe，进而形成CdSe／HgSe／cdse的量子点量子群(ClDQW)口】。
圈1是cdSe蚋米晶的HREM像及选区电子衍冀■。箕结椅为歼锌矿螭枸。谈样品皋岛于
QDQW蝻泰曩的★分
反应(1)■得的CdSe肢体溶浪。图2是cdSe／HgSe及Gdse麒gse／cdSe
梅雨HgSc为六方结构。通常HgSe块材为闪锌矿绪构，蔼在奉实鼍中由于纳米■中}k”蕾代反
应生长丽形虞了与纤锌矿豹结构相似的HgSe六方锖构。圈3中由缱a、b、c分别衰示和Cdse、
子复合t胄曩乎纛●的cdSe纳米矗衰面，造成了较鬟的PL峰．疆过警代反应，在cdSe蝻米‘
面生长时。CdSe，IIBse／cdSe结构的量子薪羹形成了．由于量子阱的形成增强了量子限翻靛应，
电子渡蠢羲受刊更强的限棚，导致了能带分爱并显理出类分子特征，光带蠢加大，量磐引起PL
落发生蓝移且PL谱峰能量显著增强。 ’
QDQw纳米晶．
我们利用瘩溶藏法制备出棱壳结构的cdse／HBSe和cdSe／Hgse／cdSe
PL谱婚对比分析，证明棱壳结构形成了QDQw，造成麓藏子的量子壤翻效应
cdSe／Hgse／(ase
增曩，并使得PL谱发生蓝穆。
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