MCT液相外延薄膜低温热处理研究.pdfVIP

MOT液相外延薄膜的低温热处理研究 陈建才雷春红 (昆明物理研宄所．昆明．65003j1 f拇要】本支主要介招对用J．PE法生氏的MCT薄膜的低盘热处理方__圭．井对LPE生兰∞MCT原生片i￡。羞 盆热处理后的外延片电参教、组份和形貌进行r对比分析． 一、引言 MCT材料是一砷育缺路奇勺半导体材料．化学计量比的偏离分别形成施主和受主， 填隙Hg原子呈施主，Hg空位呈受主。P型MCT品体的电子性质主要田Hg空位来确 定．n型MCT晶体妁电子性质主要田填隙原子和剩余施主来确定。Hg空缝是MCT晶 体中固有受主，它的浓度与晶体的生长，退火等因素有关。剩余施主是蒯余杂质或最 谄，它的浓度典型值为了i0“一fO‘ScrN一。在退火过程中．大多数的MCT热力学平堑灵 考虑汞气压的影日弓，这是冈为在平衡过程中。录的偏压比镉，碲二元素的分压大几一 数量级。 对原生片进行退火处理，是调整化学计量比的一种常用方法，同时晶体的电学世 质也得到改善，能更好地滴足红外焦平面器件的要求。在晶潍退火后品体的淬火过星 中，由于最庄晶体表面的再分布，从而造成晶体内部组份不均匀。对于大块的晶体． 可以把表面不均匀的邪层用化学万法腐蚀掉，这样就不会产生体内组份不均匀的现 象．但是对于十几微米的薄膜材料．这个问题圭口不容易解决。有关MCT薄膜低温退二弋 的工艺研宄报道很少，本文介绍对用LPE法生长的MCT薄膜低温热处理方法及淖翼 材料的性能。 二、实验过程 本实验所用的MCT外延片是用开管水平滑块液相外近系统，以碲锌镐材料为珂 底，用富碲碲镉汞母液生长艮渡(8。149m)薄膜，薄膜厚度】0一12p．m，表面光亮平整，勺 了得到好的实验结果，实验中是把原生片分为几个小块，一片用作原生片测量，其： 进行退火实验。退火实验是在一个密封的石英玻璃中进行。实验用的石葵营先用王x 浸泡一段时间后，用氢氯酸冲洗，最后用去离子水冲洗，再放入烘箱烘干，把外延士 和过量汞放入石英营中，抽成高真空后烧封石英管。 退火炉育二个可凋肖的瞳温区，一个汞源恒温区，一个样品匿温区，录源恒温基 温度范司为150”300ac．样品叵温区温度范围为200。c一500acF圈为退火炉温度分市j 石英管所在位置。 Tf。C、 Ts Tuc 距离(Cm) 三、’实验结果与分析 昌前．：列LPE，圭羔蹙寺勺甄兰MCr，尊摸汀关多害Ⅶ} 导电类‘掣 载流子泳度 u—k(cm’V’S“) x=jx }黼号 r。7k、 瞳～ P ：_二，“0‘一cm IjS n1：一《1005 i：!一12 P 5 o)，‘10‘1：m； 10b n’，+n006 2一：m’1 LH叫5 6．4，‘10 164 0．二4=()．009 LH一2{ ?J jj，“0‘“cm’、 63：5 023_---0009 {LH～j! N }6．!!o。cm： 3q65 n’·一】OOR 从上面的电多数习。^舌上P掣，p婆材i斗戴漉手．末腹P、七一jO】-cmj垃量级，斗讯为 t00、200cm：V“‘1N e圩々j≤叶…蔽．：：fi剐蔓P10、10”cm’毁母级，“Ⅵ为‘L予，不能 满足器仆要求 F面为P掣低。暑t造，‘、：f‘j琦摸十i：：’叮《≯数，退，．‘温度，0 300。C芏右，避火时间K。变