Fe+x（In+2○+3）1-X颗粒膜巨磁电阻研究①.pdfVIP

Fe。(In。O。)。一。颗粒膜的巨磁电阻研究① 张连生张林刘宜华张汝贞 黄宝敬张维成 (山东大学物理系济南250100) 摘要；本文研究了用射频溅射法翩备的金属／半导体磁性颗粒膜Fe；(1mODh的电阻和磁电阻特 性，特别是低温下=者的温度关系．发现在2K下，磁电阻比遮一86聒，并甩近藤(Kondo)效应，对此做了 解释。 一引言 有关颗粒膜的研究是从本世纪初开始的。首先研究的是金属／绝缘体(Ni—s．oz， 电阻(GMR)效应，由于它在理论上和应用上都有较高的价值，所以很快成为研究热点。至 于金属／半导体颗粒膜(Ag—cs。O，Ag—si等)则研究工作较少，而且主要研究其光学性 质。我们研制了新型的金属／半导体颗粒膜Fe，(IntO：)一，并对其电学磁学性质和巨磁电 阻效应进行了研究。发现其低温电阻反常，并用类近藤(Kondo)效应做为解释。 二实验方法 Fe,(In：0，)。颗粒膜是用射频溅射法制备的。在经高温烧结的I。：oa园片上镶嵌辐射 状的条形Fe片，做为溅射用靶。样品基片为0．2ram厚的玻璃片。靶台和样品台均用水冷 却，二者之间距离为40ram溅射前真空室本底真空度为3×10一Pa，溅射气体为 6(]Onto左右。 散x射线(EDAX)分析成份。常温和低温磁性测量分别厢振动样品磁强计(VSM)和超导 量子干涉磁强计(SQUID)进行的。电阻和磁电阻是用通常采用的四端法测萤的，测量温 度从1．5K到300K，磁场由O到zT。 三结果和讨论 XRD和ED测量结果表明，颗粒膜基体In：O；制备态为非晶态，经热处理变为晶态。 布在In．：O，中。颗粒大小，与铁的体积份数X有关，对于F。*(InzO。)ss其平均直径为5rim。 VSM测量表明室温下颗粒膜呈超顺磁性。而低场磁导率测培表明其截止温度为50K左 右。 10-4量级。我们样品电阻事高，可能是由于Fe颗粒的参入，增强了对传导电子的散射，而 ①目家自然科学基金费助项目 42 面着重对论低温下电阻和磁电阻I{连f温度变化的特点。图1为F一(Into。)ss膜白：1—7K’ 300K温区内电阻的变化。很明显，从室温开始随温度降低电阻率增加，显示出!p导体材 料的电阻温度特性。而在3K附近，电阻率迅速增加后又减小。而磁电阻随温度并没有突 变(见斟2)．结果在电阻变化峰值处，MR也出现峰值达--86％，这个结果比目前撤导的 颗粒膜MR都大得多，而与多层膜中最佳MR值相当。这个结果可用I)le．y[33等人提出 的双磁性相来解释。在我们的系统中，基体是半导体In。O，．其电阻率要比金届大3—4鲢 级，这意味着传导电子的浓度大大低于金属，由传导电子自旋极化丽产生的RKKY作用 也比金属基体小得多。这样颗粒问以静磁相互作用为主。其结果使相邻颗粒磁矩反平行 排列．由于作用微弱，所以只有在很低温度下才能显示出来，使颗粒体系磁状态成类近藤 (Kondo)体系，其特点是电阻率随温度增加以InT规律减小，在金属系统中会出现+一个极 小值。我“1的实验结果表明在电阻极大值之后R基本上以InT规律减小(见图4)。出了+ 基体为In：O，，它的电阻随着温度增加而减小，所以不会出现电阻极小值，只有一个明显的 拐点。由于Fe--In：O。颗粒膜本身的磁电阻就是负值，而Kondo系统磁电阻也是负值t所 以在转变点MR也发生突变由一lo％变到一86％(见图3)。这些结果充分显示了Kondo 系统的特点。 TⅫIpHj曲·lq 冈l F州(In，o，)．，电阿l二牡随潞度的变化· 型) I刳2低温I：电m半溢l!c*系(^l无戤场时 ·Ih