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氧化实验提案.ppt
氧化实验提案 胡建生、李建刚 2005-11-22 已完成氧化实验 O-ICRF实验 10~40kW 纯O2,1:1 He:O2, 4:1 He:O2 1.2---9.5X10-2 Pa; O-GDC实验: 纯O2,1:1 He:O2, 4:1 He:O2 0.5---1.5Pa ; O-baking实验 动态1.2X10-2 Pa ; 静态:0.7, 1.1, 9.3, 32Pa。 主要结论 O-GDC比O-ICRF效果好; 气压越高,清除效果越好; ICR功率越高、清除效果越好; 比较而言,O-Baking效果不明显; He在氧化过程中,有利于降低氧在器壁的滞留; He-ICRF和He-GDC对氧的清除都有效果,其对氧的清除率受到器壁中氧的滞留量的影响; 氧化后,等离子体可以在几十次破例放电后恢复,其恢复进程受到器壁中氧的滞留量的影响。 问题 目前实验获得的再沉积层清除率同ITER所需要的仍然有差距,需要提高实验功率和气压; O-ICRF对缝隙中再沉积层是否有清除效果? O-ICRF对金属(不锈刚)有哪些影响? D2-ICRF对氧的清洗效果? 如何快速完全恢复等离子体? 如何判断D基本上被清除干净? 等离子体恢复 特点: Ha 下降很多----复合氧化实验的基本目的; C、O及Zeff 上升较大; H/(H+D)上升,是缺点吗? 已经获得等离子体: 电子温度同氧化前一致; 电流和密度达到氧化前水平; 密度可控; 无破裂; C、O及Zeff(或者它们对密度归一化后)下降并接近氧化前水平; 本轮实验目标: C、O及Zeff(或者它们对密度归一化后)降低到氧化前水平,完全恢复等离子体。 需要补充实验 实验步骤 在氧化实验前,实验He-ICRF在高气压和高功率下的清洗,解决技术性问题; 在高气压He/O 气体中,加入功率ICRF波,进行氧化实验; 在氧化前通过样品架,送入设计的类似缝隙的带再沉积层的样品; 在样品上设计不绣钢样品,以研究氧化对金属材料的影响; 在氧化实验后分别采用相同参数下(常规参数)He-ICRF和D2-ICRF清洗,以比较他们对清除氧的能力; 同一参数下,争取达到完全意义上的等离子体恢复. 主要问题是:高功率,高气压下,ICRF系统能否有效工作? 如果不能工作,转入长时间,20kW, 0.05Pa O-ICRF,判断H释放下降过程. O-ICRF实验步骤 壁温加温410~470K:提前六个小时 样品准备 标准等离子体 He-ICRF 清洗: 气压: 0.1Pa, 0.5Pa 功率:40, 60kW 每组时间10分钟, 抽气5分钟,总计40~60分钟。 放入样品 O-ICRF实验 气压: 0.1Pa, 0.5Pa 功率:40, 60kW 每组时间10分钟, 抽气5分钟,总计40~60分钟。 样品退出 He-ICRF 清洗:30分钟,0.05Pa,20kW D2-ICRF 清洗:30分钟,0.05Pa,20kW 等离子体恢复 数据采集 限制器和内衬温度连续采集(加温前一小时到实验完全结束) 差分质谱连续采集(氧化实验和清洗、硼化期间) 原位质谱(加温前一小时到清洗前,硼化后到实验结束) 压强(内真空室、差分系统) 气体流量(氧化期间) 等离子体运行期间: 所有常规诊断 特别是Ne, Te, Zeff, Ha, H/(H+D), CIII, OII, OV等 标准欧姆等离子体 氧化实验前标准欧姆等离子体: 电流:100, 150, 200kA; 密度:1, 1.5, 2X1019/cm3。 实验结束后,恢复等离子体。 判断D基本上被清除干净 实验结束后进行, 采用纯氧, 恒定气压,0.8Pa. 连续长时间O-GDC,暂时估计24小时(曾经做过6小时,已经可以见到D释放减少,但不彻底). 谢谢! * 实验高气压、高功率He-ICRF清洗; 实验高气压、高功率的O-ICRF对再沉积层清除和氢的释放; 实验O-ICRF对缝隙中再沉积层的影响; 实验O-ICRF对金属材料(不锈刚)表面的影响; 争取达到完全意义上的等离子体恢复; 在器壁被氧严重污染的情况下,比较He-ICRF 和D2-ICRF对氧的清除。 判断D基本上被清除干净(实验结束后进行,采用纯氧连续长时间O-GDC) *
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