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氧化实验提案 胡建生、李建刚 2005-11-22 已完成氧化实验 O-ICRF实验 10~40kW 纯O2，1:1 He:O2, 4:1 He:O2 1.2---9.5X10-2 Pa； O-GDC实验: 纯O2，1:1 He:O2, 4:1 He:O2 0.5---1.5Pa ； O-baking实验 动态1.2X10-2 Pa ； 静态：0.7, 1.1, 9.3, 32Pa。 主要结论 O-GDC比O-ICRF效果好； 气压越高，清除效果越好； ICR功率越高、清除效果越好； 比较而言，O-Baking效果不明显； He在氧化过程中，有利于降低氧在器壁的滞留； He-ICRF和He-GDC对氧的清除都有效果，其对氧的清除率受到器壁中氧的滞留量的影响； 氧化后，等离子体可以在几十次破例放电后恢复，其恢复进程受到器壁中氧的滞留量的影响。 问题 目前实验获得的再沉积层清除率同ITER所需要的仍然有差距，需要提高实验功率和气压； O-ICRF对缝隙中再沉积层是否有清除效果？ O-ICRF对金属（不锈刚）有哪些影响？ D2-ICRF对氧的清洗效果？ 如何快速完全恢复等离子体？ 如何判断D基本上被清除干净? 等离子体恢复 特点： Ha 下降很多----复合氧化实验的基本目的； C、O及Zeff 上升较大； H/（H+D）上升，是缺点吗？ 已经获得等离子体： 电子温度同氧化前一致； 电流和密度达到氧化前水平； 密度可控； 无破裂； C、O及Zeff（或者它们对密度归一化后）下降并接近氧化前水平； 本轮实验目标： C、O及Zeff（或者它们对密度归一化后）降低到氧化前水平，完全恢复等离子体。 需要补充实验 实验步骤 在氧化实验前，实验He-ICRF在高气压和高功率下的清洗，解决技术性问题； 在高气压He/O 气体中,加入功率ICRF波，进行氧化实验； 在氧化前通过样品架，送入设计的类似缝隙的带再沉积层的样品； 在样品上设计不绣钢样品，以研究氧化对金属材料的影响； 在氧化实验后分别采用相同参数下（常规参数）He-ICRF和D2-ICRF清洗，以比较他们对清除氧的能力； 同一参数下，争取达到完全意义上的等离子体恢复. 主要问题是:高功率,高气压下,ICRF系统能否有效工作? 如果不能工作,转入长时间,20kW, 0.05Pa O-ICRF,判断H释放下降过程. O-ICRF实验步骤 壁温加温410~470K：提前六个小时 样品准备 标准等离子体 He-ICRF 清洗： 气压： 0.1Pa, 0.5Pa 功率：40, 60kW 每组时间10分钟, 抽气5分钟,总计40~60分钟。 放入样品 O-ICRF实验 气压： 0.1Pa, 0.5Pa 功率：40, 60kW 每组时间10分钟, 抽气5分钟,总计40~60分钟。 样品退出 He-ICRF 清洗：30分钟，0.05Pa，20kW D2-ICRF 清洗：30分钟，0.05Pa，20kW 等离子体恢复 数据采集 限制器和内衬温度连续采集（加温前一小时到实验完全结束） 差分质谱连续采集（氧化实验和清洗、硼化期间） 原位质谱（加温前一小时到清洗前，硼化后到实验结束） 压强（内真空室、差分系统） 气体流量（氧化期间） 等离子体运行期间： 所有常规诊断 特别是Ne, Te, Zeff, Ha, H/(H+D), CIII, OII, OV等 标准欧姆等离子体 氧化实验前标准欧姆等离子体： 电流：100, 150, 200kA； 密度：1， 1.5, 2X1019/cm3。 实验结束后,恢复等离子体。 判断D基本上被清除干净 实验结束后进行, 采用纯氧, 恒定气压,0.8Pa. 连续长时间O-GDC,暂时估计24小时(曾经做过6小时,已经可以见到D释放减少,但不彻底). 谢谢！ * 实验高气压、高功率He-ICRF清洗； 实验高气压、高功率的O-ICRF对再沉积层清除和氢的释放； 实验O-ICRF对缝隙中再沉积层的影响； 实验O-ICRF对金属材料（不锈刚）表面的影响； 争取达到完全意义上的等离子体恢复； 在器壁被氧严重污染的情况下，比较He-ICRF 和D2-ICRF对氧的清除。 判断D基本上被清除干净(实验结束后进行,采用纯氧连续长时间O-GDC) *