Fe+x（In+2○+3）1-X颗粒膜磁性地研究.pdfVIP

Fex(In203)l咄颗粒膜磁性的研究+ 张林张连生张汝贞 刘宜华张雏成黄宝歆梅良模 (山东大学物理系，济南2soloo) 采甩射频溅射法制备了Fcxon203)1。颗粒膜，根据低场磁化率x∞温度关 系．证实在一定的温度范围内。颗粒膜中纳米Fc颗粒表现出超顺磁性弛豫 过程：当温度达到某临界温度k时，颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生 铁磁一自旋玻璃转变。 一．引言 近年来，在颗粒膜的磁性、磁输运特性等方面已取得许多重要成果【l】。到目前为止， 所研究的磁性颗粒膜主要为两种类型：即‘铁磁金属月}磁金属基体”颗粒膜(如Fe--Cu。 Co-Cu金属颗粒膜)，和“铁磷金属，非磁绝缘体基体”颗粒膜(如Fe．si鸭颗粒膜等)。而 对“铁磁金属，半导体基体”颗粒膜研究不多。我们利用溅射法制备了Fe41n203),。颗粒 膜。h1203是一种可见光透明、导电的宽禁带半导体材料，将超缅Fc颗粒嵌埋于Ia203 半导体基体中，磁性Fe颗粒和In203半导体基体之间的交互作用及磁性Fe颗粒之问穿 过半导体基体产生的相互作用，无疑会对膜的磁性、磁{禽运特性、光学特性等产生巨大 影响。本文报道rFe，(In203)1。颗粒膜的磁性研究。 二．实验方法 用射频溅射法在较宽的成分范围内翻备了Fe．。(1n203)n颗粒膜，其中x为铁的体积 份数。用纯铁片和In203烧结体镶嵌组成溅射用靶，通过改变二者的面积比，即可改变 颗粒膜中铁的体积份数。样品基片为0．2ram厚的玻璃片，样品台通永冷却。溅射气体 为氩气，在溅射过程中氩气压控制在O．7Pa：溅射功率为200W，溅射速率为O．15mn／s， 颗粒膜样品厚度约为500rim。 样品的结构和形态特征由x射线衍射0∞)、电子衍射和透射电子显微镜O日田 分析确定，其组元成分由能散x射线i普(EDAX)分析。应用超导量子干涉器件磁强计 线。 三．实验结果与讨论 ‘国家自然科学基金资助课题 内，低场磁化率z∞温度关系显示出F‰35∞203h65颗粒膜中铁颗粒的磁性弛豫过程(在 截止温度TB以下为铁磁性状态。在TB以上为超顺磁性状态)Ⅲ。对所测量的样品而言． 其有效截止温度(Blocking 线。显然，T=20K时的磁滞回线为铁磁性的，而T=IOOK时的磁滞回线表现为超顺磁 性特点。由图1还可看出，当温度Tp=IOK时，在ZFC曲线上x出现～极小拐点变化， 35(In203)065样品的磁化曲线，见 而Fc曲线上z也相应变化较大。测量了T=5K时的Fe0 图2。显然。T=5K时样品磁化状态表现出自旋玻璃态特性。这表明，在Tp=10K时， 颗粒膜样品中发生了特殊的低温铁磁一自旋玻璃转变”。其机理可能类似于JA．Mydosh 阻率P突然增大两个数量级(105Qcn—07Qcm)，这可以作为磁有序向磁无序的自旋玻璃 态转变的一个间接证据。极低温下的铁磁一自旋玻璃转变现象未曾在“铁磁金属，绝缘 体基体”颗粒膜(例如Fe-SiCh颗粒膜一在温度T=2K时仍表现为铁磁性，具有非常高的 矫顽力Hc和剩磁Mr)中观测到。这表明嵌埋于半导体基体中的Fe颗粒在低温下存在特 殊、复杂的相互作用，而表现出“铁磁金属伴导体基体”口e-h20，)颗粒膜的特殊性。 参考文献 1 ChienCL．AnnuRevMaterSci，1995，25：129—160 2 7573-7577． XiaoG，LiouSl-i,eta1．PlaysRcvB，1986，34：11 3 J MydoshA．MagnMagnMater,1980．15：99-101． ∞ ’ ● j|／ 60 ∞ ．．r一 鞘 奄∞ 鲁