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电子显微学报J.Chin.Electr.Microse.Soc
17(5):503~5041998年 503
相互作用研究
王雪文1 张志勇“2
真空中一次完成,中间不离开真空室,硅分形易于形成且效果非常显著。而世纪之交的微电子技
的寿命与可靠性会带来什么影响,这是本文研究的目的。
Pa,通入氩气,溅射压强为6Pa。
度约为1.5rim。然后在溅射台中溅射Au膜,预真空为1.3×10
KBr衬底以备微观分析。
a相应的衍射图为多晶金环,但有的斑点特别亮,有的消失,说明Au晶粒有长大的趋势,图b相
分形(如图d),其衍射晕环较未退火的晕环边缘清晰。
导致寿命降低,为器件的可靠性分析提供了可靠的依据。
参考文献
[1]吴自勤.张庶元等.电子显徽学报.1996,15(2):200--206.
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D FilmsonSemiconductorsoftheSecondInternational
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电子显微学报j.Chin.Electr.Microsc.Soc.
504 1998正
17(5)t503~504
l
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et
[4]TsaiCC a1.J.Vac.Sci.Techn01.,1982,21(2)l632—636.
447—448.
E53陈志文.张庶元等.电子显微学报.1997。16(4)t
120
图a 6C退火2h金分形暗场像 175
图b oC退火2h金分形暗场像
圉c与图b相应的衍射斑点 图d 175℃退火2h的si分形明场像
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