Hg-%2c1-x-Cd-%2cx-Te%2fCdTe界面互扩散探究.pdfVIP

Hgl-；Cd。Te／CdTe界面互扩散研究 巫艳于梅芳陈路乔怡敏王善力杨建荣方维政陈新强杜美蓉何力 中国科学院上海技术物理研究所 半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室 00083 上海市中山北一路420号，2 8028 Tel．．021 6324 ：021E-mail：sitperc@maiLsitp．ac．cn 1．引言 在异质结界面处生长方向(纵向)上发生互扩散，导致界面处的纽分互扩散，用互扩散系数 D描述。正确地了解界面处组分的梯度变化情况以及热处理条件的关系，对提高量子效率， 抑制暗电流有十分重要的指导意义。 2．实验 封石英管中，Hg过饱和气氛F进行的。为了方便比较，在退火前先将HgCdTe材料 o (#印39)切割成A16，1309两个样品，分别在490℃卜I 了热处理实验。为了测试样6^中组分X值的纵向变化情况，实验中使用0．5‰溴甲醇腐蚀 溶液对样品进行了深度剥离腾蚀。对l[gCdTe样品的腐蚀速率用红外透射光谱确认。 我们分别对逐层腐蚀后的材料用J．A．W001Iam公司，￡产的44波段旋转检偏器椭偏仪 进行了测定，测量能量范围为1．62～3．10．V。 对不同波段的q}NA值与标准数据库汁算的比较，确定出材料的组分和结构参数。为 了验证结果的正确性，对腐蚀前后材料用红外透射光谱进行测量，并与椭偏测量结果进 行J，比较。 3．结果与讨论 3．1组分分布 将不同腐蚀时刻下得到的椭偏光谱进行拟合，可以得到组分随腐蚀时间或纵向深度 据进行的拟台结果。图20)，(b)分别为样品A16和B09组分随腐蚀深度的变化曲线。图中 实线为对椭偏测量结果用tigCdTe材料细分扩散经验公式平滑、拟和结果。组分分布存在 下列经验关系： x(z)；一业!一掣+(x．+Sd)一Sz，(1) I+4(z／△z)‘ 227，S—O．0046 对于A16样品，d为104“m。拟合得到上述公式中的各参数分别为：x。=O 2 245，S—O 1 6p_m。 p．m～，Az=0．8um。对于B09样品有，d=¨肛m，K一0005“m～，△z 为了确认图2所示结果的正确性．我们用红步}透射曲线对样晶进行了分析。图3给出 剥层腐蚀前(样品A16)实验测得的红外透射光谱与计算结果比较。图中可见，利用组分 196 分布公式计算的样品红外透射光谱与用椭偏测量得的结果吻合较好，证实了椭偏测晕 HgcdTe组分分布的可靠性。 3．2互扩散系数 我们发现实验结果与Zanio等人结果与不能吻合，l州此必颁对扩散系数进f?修Ⅱ：。 将样品At6在490。C退火条忭下的组分分布结粜代入扩散方程的数值汁算，得出： ％。qn=4×10一x10、“u (2) 用上述扩散系数结果，对4909C，2hr热处理条件F的组分分粕进行，汁弊：，发现与 样品B09的实验结果能够较好的吻合。图4为实验结果和用(2)式计算的理论曲线的比 较。从图中可见，用得出的扩敞系数可以较好地再现4i同退火时问的2个样品。图4(b) CPTpm范围理论曲线和实验结果有一定偏差．这可能与高温长时问热处理导致Hg从材 料表