PBLOCO隔离技术地研究.pdfVIP

PBLOCOS隔离技术的研究 孙海锋刘新宁海潮千¨ 中『ij科学院微【乜子中心 北京 100029 摘要 Buffered 本文介绍了一种实．LIj的隔离技术：PolysiHcon 3Na)2．f．UJrJ了一缓冲层一一多品it层。多品自t缓冲层的 相比，PBL只是在氧化层(si02)利氮仳R(sl 电以及栅氧质鼙进行了自14鞋和分析。结果衷明，由】：PBLI。岂的蒲币·陀以及，，州^¨，化泳qF做米 技术时代，PBL将会是最有效的隔离技术。 关键词PBL 吗嗡3j、氯技采 结溉电 介绍 实验 随着硅器件尺寸的不断缩小，常规的 PBLl。芝的1．要流fll!如p：(1)900℃热钒 I,I’CVD彩 LOCOS技术已不再适用丁深qF微米器件的隔化，生成15rim的讯化层：(2)625℃， 离。在其他的一些隔离披术中，PBL(Polysilicon Buffered LOCOS)隔离，由r其工艺的相对简单 以及小的鸟嘴，目前受到了广泛的重视。与常 蚀多品碎：}、面的氧化层没{i刻蚀．I上婴基r 以F儿点『I的：(i)避免。r脯鼬过Wr}·稍伤6f托 规的LOCOS技术相比，PBL只是在氧化层(sio，) 和氯化层(si，N。)之问加了一缓冲层一一多品硅_皿：②irJ以tr为场注八的掩敞层：③山J这一 层，使之吸收氮化层的戍力，从而有效地减小 ‘层不影响r衙的场氧化，避免了／1：必璎的【：序。 呜嘴。其基本的结构如图一所示。 多舳酢；(10)腐蚀氧化屡。枢个流桦1中，关键任 刻蚀前 丁有源区L掩避甚fI：J411离．化j1Il离皱【化J，÷屙，发 NITRlDE 现多t品碓上Ⅲ现帆(JJ【t)以及剁高多tm砰肝扯场 氧jJ彳|游区的也缘附近仃n：残余物(幽：)，这些 Poly—Si 缺陷将直接影响到卜面的si层，最终导致器竹 ’什能蚋恶化，这种J吼曩…以I¨k…，i(、r|¨11l】 ～si Pado忍。 米晰秆．小过，“生L：棚讥11ij，门九小K‘膳蚋 牡氧化层，然后膨触掉，这fr榴会使缺骱人人搬 刻蚀后 少 例一PBL基本}^构 227 三结果与讨论 吗嘴是由r轼的横向扩敞造成的，‘0垫钒 的』9：度有芙。从剧二中可以石UI，当垫瓴j7腹 叵面卫 』前人时．q嘴也变人。网州，当Si，N。的”皮小 T240nm时f2】，1％嘴随Si，N。J孓皮的增人而变 ∽当({暮计ko矗口置；Z 小。多品醚的厚度对q嘴的影u自4；是很明显， 一般其j7J叟郝住50nm左☆12】。Ⅲ此，考虑到 鸟嘴的人小以及』：艺巾其