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苎士二堡全曼壁兰塑壁焦!型生丝堡!选——
FePt3纳米线阵列的制备及磁性研究
李发传,王涛,任毫元
兰州大学磁学与磁性材料教育部重.最实验室, 兰州 730000
、。在其有纳米级孔桶静多孔戴他锯膜嫒中,南电沉积方法成功的制各了FeNs有序纳米线阵列膜。
磁蠼测量续累表明,囊,}场乎簿予纳卷线方囱对,矫磁力髓着纳米线直经熬减小嚣增大,当半径减小
51×l伊A/M。同时对磁化反转机制作了简单的讨论e
到ionm时,矫顽力达到L
1.引言
近年来,低维磁性材料的制备技术及其特性研究都有了很大的发展,由于该材料表现出来的特性,
使它臂j在徽璧传躲器及高密度磁存储等方面有着徽好莉应用前聚秘‘2】。
我嬲从改变FePt,合金纳米线熬崔经出发,剥用X射线辑射仪(XR》),透射电镜(TEM),振动
样品磁强计(VSM),分别对样品的成分,形貌和磁性进行了测量和袭链。结果表明:矫顽力随着纳
X10’m。
llm时,矫顽力达到1.51
米线直径的减小而增大,当直径减小到10
2。实验
将高纯铝箔(99,999%)进行二次氧化,得到六角形排列
2M g/l
的多孔阳极氧化锅膜掇。接着在电沉积液中(n F喊.05
Ptd,,845Mg,BO。)拜}交流电避行电化学沉穰,褥虱FePt3有
序纳米线阵列膜。透射电镜给出了多孑L期援氧化镪膜扳静影貌
nm,30n峨50
图(图1)。利用VSM得到半径分别为10n取20
n矾75nnl的Fe札纳米线阵列的磁滞圆线。这受分*O给
nm,60
出了半径为10nfil稚75涨静FeFt3缡米线阵到的磁游回线,
妊蹦2所拳(parallel表示外加磁场警行予纳米线方囱,
perpendicular表示外加磁场垂直于纳米线方向)。
警I 孔半径为50itln的氯化销腆馘
3。结果和讨论
我们用二次氧化法制备出了孔洞分布均匀的氧化铝膜板【”,在该膜板中沉积出不同直径的Fe心
纳米线阵剜。由圈2()看出,半径为1011111的Fe班,纳米线阵列其有商度的垂赢磁备向异性,当磁
8,矫鼷宠鸯1.51×105艇。雨半径鸯75艄静
塌方囊平挥予绒米线对,箕矩形魄(Mr/瓣s)为8
FeP也纳米线阵列的磁嚣向异性明显肄低,此时,当外磁场乎雩亍纳米线时,矩形比只有o。2,矫颊力仪
为342XI伊^/M。我们通过对不同直径FePb纳米线阵列的测量,得出直径和矫顽力的关系,如图
3所示,对实验曲线用弘掇合,发璇。一f点的吻合程j嚷较好。
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